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    Next-generation CVD aluminum precursors pose new handling challenges
    MCGREW, C. E
    In: Solid state technology, Jg. 40 (1997), Heft 6, S. 193-200
    Online academicJournal
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    Safety and environmental concerns of CVD copper precursors
    ZORICH, B ; MAJORS, M
    In: Solid state technology, Jg. 41 (1998), Heft 9, S. 101-106
    Online academicJournal
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    High-throughput W/ti barrier sequential deposition
    CASTAN, T ; PEYRE, J.-L ; et al.
    In: Solid state technology, Jg. 41 (1998), Heft 6, S. 127-132
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Barrier and seed layers for damascene copper metallization
    CHIN, B ; PEIJUN, DING ; et al.
    In: Solid state technology, Jg. 41 (1998), Heft 7, S. 141-147
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Epitaxial silicon for bipolar integrated circuits
    LIAW, H. M ; ROSE, J ; et al.
    In: Solid state technology, Jg. 27 (1984), Heft 5, S. 135-143
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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