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    Theoretical and experimental study of the effect of biomass based organic packing wettability on the LDDS and its life cycle analysis
    Suranjan Salins, Sampath ; Kumar, Shiva ; et al.
    In: Renewable Energy, Jg. 225 (2024-05-01)
    academicJournal
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    LDD-Net: Lightweight printed circuit board defect detection network fusing multi-scale features
    Zhang, Longxin ; Chen, Jingsheng ; et al.
    In: Engineering Applications of Artificial Intelligence, Jg. 129 (2024-03-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Docetaxel administered through a novel lymphatic drug delivery system (LDDS) improved treatment outcomes for lymph node metastasis
    Sukhbaatar, Ariunbuyan ; Mori, Shiro ; et al.
    In: Biomedicine & Pharmacotherapy, Jg. 171 (2024-02-01)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Influence of LDD spacers on total ionizing dose response of the transconductance for bulk MOSFETs working at cryogenic temperatures
    Cussac, G. ; Nuns, T. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 135 (2022-08-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Investigation and impact of LDD variations on the drain disturb in normally-on SONOS NOR flash device
    Xu, Zhaozhao ; Liu, Donghua ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 84 (2018-05-01), S. 157-162
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Study of novel junctionless Ge n-Tunneling Field-Effect Transistors with lightly doped drain (LDD) region
    Liu, Xiangyu ; Hu, Huiyong ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 102 (2017-02-01), S. 7-16
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The device characteristics of missing LDD implantation via nanoprobing techniques for localized failure analysis
    Lai, Li ; Lung ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 55 (2015-07-01), Heft 8, S. 1144-1151
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Calculation of on-state I–V characteristics of LDMOSFETs based on an accurate LDD resistance modeling
    Afzal, Behrouz ; Ebrahimi, Behzad ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 52 (2012-09-01), Heft 3, S. 560-576
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Impact of Snapback Stress on the Degradation of ultra-short and Ultra-thin LDD NMOSFET
    Shigang, Hu ; Xiaofeng, Wu ; et al.
    In: Procedia Engineering, Jg. 15 (2011), S. 4431-4435
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    On the performance of O 3BPSK LDD with diversity combining techniques over fading channels
    Cheng, Chia-Hsin ; Lin, Jen-Yung ; et al.
    In: Computer Communications, Jg. 31 (2008), Heft 9, S. 1832-1841
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    An optimization technique for parameter extraction of ultra-deep submicron LDD MOSFET’s
    Hao, Yue ; Yang, Lin-An ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 50 (2006-09-01), Heft 9-10, S. 1540-1545
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A new self-consistent model for the analysis of hot-carrier induced degradation in lightly doped drain (LDD) and gate overlapped LDD polysilicon TFTs
    Valletta, A. ; Mariucci, L. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 427 (2003), Heft 1, S. 117-122
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Comparison of nanostructure LDD and EPI MOSFET
    Jang, K.G. ; Jhung, J.S. ; et al.
    In: Physica B: Physics of Condensed Matter, Jg. 314 (2002), Heft 1, S. 391-395
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Substrate current and degradation of trench LDD transistors
    Landgraf, E. ; Hofmann, F. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 46 (2002), Heft 7, S. 965-970
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Statistical aspects of the degradation of LDD nMOSFETs
    Andries, E. ; Dreesen, R. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 42 (2002), Heft 9, S. 1409-1413
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A semi-empirical approach to analyze small geometry effects in LDD MOSFETs
    Kalra, Ekta ; Kumar, Anil ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 56 (2001), Heft 3, S. 261-272
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Flicker noise modelling of small geometry LDD MOSFETs
    Kalra, E. ; Kumar, A. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 32 (2001), Heft 2, S. 143-147
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A physics-based short-channel SOI MOSFET model for fully-depleted single drain and LDD devices
    Chyau, Chwan-Gwo ; Jang, Sheng-Lyang ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 44 (2000), Heft 3, S. 487-499
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Hot-hole-induced interface states build-up on deep-submicrometer LDD nMOSFETs
    Rafí, J.M. ; Campabadal, F.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 39 (1999), Heft 6, S. 869-874
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Modelling hot-carrier degradation of LDD NMOSFETs by using a high-resolution measurement technique
    Dreesen, R. ; Croes, K. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 39 (1999), Heft 6, S. 785-790
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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