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    Computational aspects of relaxation complexity: possibilities and limitations
    Averkov, Gennadiy ; Hojny, Christopher ; et al.
    In: Mathematical Programming: A Publication of the Mathematical Optimization Society, Jg. 197 (2023-02-01), Heft 2, S. 1173-1200
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    Promotion of GaN Crystal Growth with Pre-stirring Using the Na-Flux Method
    Pan, Ronglin ; Wu, Wenxiao ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-08-01), Heft 8, S. 5466-5472
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    Crystal quality improvement of sputtered AlN film on sapphire substrate by high-temperature annealing
    Zhao, Lu ; Yang, Kun ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 29 (2018-08-01), Heft 16, S. 13766-13773
    Online academicJournal
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    Lattice distortion analysis of nonpolar a-plane $$(11\bar 20)$$ GaN films by using a grazing-incidence X-ray diffraction technique
    Seo, Yong Gon ; Kim, Jihoon ; et al.
    In: Journal of the Korean Physical Society, Jg. 66 (2015-02-01), Heft 4, S. 607-611
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    Growth, defects, mechanical, and optical properties of transparent KTaO<subscript>3</subscript> single crystal
    Hu, Lunzhen ; Sun, Dunlu ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 33 (2022-06-01), Heft 16, S. 13051-13063
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    Lattice relaxation effect in Rb<subscript>x</subscript>MA<subscript>(1−x)</subscript>PbBr<subscript>3</subscript> single crystal to enhance optoelectronic performance of perovskite photodetectors
    Qiu, Xin ; Li, Lei ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 33 (2022-03-01), Heft 7, S. 3438-3451
    Online academicJournal
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    New buffer layer technique using underlying epitaxial AlN films for high-quality GaN growth
    Shibata, Tomohiko ; Kida, Yoshihiro ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 693 (2001-12-01), Heft 1, S. 501-506
    Online academicJournal
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    Sputtering of ZnO buffer layer on Si for GaN blue light emitting materials
    He, Hongbo ; Fan, Zhengxiu ; et al.
    In: Science in China Series E: Technological Sciences, Jg. 43 (2000-12-01), Heft 1, S. 55-59
    Online academicJournal
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    Achievement of polarity reversion from Al(Ga)-polar to N-polar for AlGaN film on AlN seeding layer grown by a novel flow‐modulation technology
    Zhang, Jin ; Zhang, Xiong ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 32 (2021-03-01), Heft 6, S. 7858-7866
    Online academicJournal
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    The crystallographic quality and band-edge transition of as-deposited PALE AlN films via metal organic chemical vapor deposition
    Abd Rahman, Mohd Nazri ; Shuhaimi, Ahmad ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 32 (2021-02-01), Heft 3, S. 3211-3221
    Online academicJournal
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    Attractive and repulsive residue fragments at the interface of SARS-CoV-2 and hACE2
    Rodriguez, Jorge H.
    In: Scientific Reports, Jg. 11 (2021-12-01), Heft 1
    Online academicJournal
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    Growth, thermal properties and laser performance of Er,Pr:Y<subscript>2.8</subscript>Sc<subscript>1</subscript>Al<subscript>4.2</subscript>O<subscript>12</subscript>: a promising multi-wavelength laser crystal
    Ma, Zhenzhen ; Chen, Yuanzhi ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 127 (2021-07-01), Heft 7
    Online academicJournal
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    Characterization of lattice mosaic of a-plane GaN grown on r-plane sapphire by metalorganic vapor-phase epitaxy
    Kusakabe, K. ; Ando, S. ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 892 (2005-12-01), Heft 1
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    Characteristics of FIELO-GaN Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy
    Usui, Akira ; Sunakawa, Haruo ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 639 (2000-12-01), Heft 1
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    Zn Vacancy Formation Energy and Diffusion Coefficient of CVT ZnO Crystals in the Sub-Surface Micron Region
    Parmar, Narendra S. ; Boatner, Lynn A. ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 8 (2018-09-07), Heft 1
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    X-ray channeling technique using anomalous transmission and its application to si micro-defects induced by heat treatment
    Kishino, SeigÔ
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 7 (1978-11-01), Heft 6, S. 727-736
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    Comparative Study on MOCVD Growth of a-Plane GaN Films on r-Plane Sapphire Substrates Using GaN, AlGaN, and AlN Buffer Layers
    Dai, J. N. ; Wu, Z. H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 38 (2009-09-01), Heft 9, S. 1938-1943
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    FPGA-based architecture for hardware compression/decompression of wide format images
    Akil, M. ; Perroton, L. ; et al.
    In: Journal of Real-Time Image Processing, Jg. 1 (2006-12-01), Heft 2, S. 163-170
    Online academicJournal
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    Development of a robot system for complex surfaces polishing based on CL data
    Feng-yun, Lin ; Tian-sheng, Lü
    In: The International Journal of Advanced Manufacturing Technology, Jg. 26 (2005-10-01), Heft 9-10, S. 1132-1137
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    Effects of the Nitridation Process of (0001) Sapphire on Crystalline Quality of InN Grown by RF-MBE
    Muto, Daisuke ; Yoneda, Ryotaro ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 831 (2004-12-01), Heft 1, S. 504-509
    Online academicJournal
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