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    Similarity Evaluation on Labeled Graphs via Hierarchical Core Decomposition
    Jin, Hai [Ed.] ; Lin, Xuemin [Ed.] ; et al.
    2019
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    Wie komme ich dran?
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    Hg1–xCdxTe: mobility, carrier concentration : Semiconductors - New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds
    Rössler, U. [Ed.] ; Chu, J. ; et al.
    2010
    Online E-Book
    Wie komme ich dran?
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    Hg1–xCdxTe: luminescence, reflectance, absorption, and refractive index : Semiconductors - New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds
    Rössler, U. [Ed.] ; Chu, J. ; et al.
    2010
    Online E-Book
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    HgSe: band structure, electron density of states : Semiconductors - New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds
    Rössler, U. [Ed.] ; Chu, J. ; et al.
    2010
    Online E-Book
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Hg1−x Cd x Te: reflectance, absorption : Data extract from Landolt-Börnstein III/44B: Semiconductors – New Data and Updates for II-VI Compounds
    Roessler, U. [Ed.] ; Chu, J. ; et al.
    2009
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    Wie komme ich dran?
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    HgS: band structure, energy gaps : Semiconductors - New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds
    Rössler, U. [Ed.] ; Chu, J. ; et al.
    2010
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    Wie komme ich dran?
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    HgTe: band structure, density of states : Semiconductors - New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds
    Rössler, U. [Ed.] ; Chu, J. ; et al.
    2010
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    Wie komme ich dran?
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    [Untitled]
    Chu, J. ; Dietl, T. ; et al.
    2009
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    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Hg1-xCdxTe: free-carrier absorption : Semiconductors - New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds
    Rössler, U. [Ed.] ; Chu, J. ; et al.
    2010
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    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Hg1-xCdxTe: reflectance : Semiconductors - New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds
    Rössler, U. [Ed.] ; Chu, J. ; et al.
    2010
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    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    HgTe: conductivity, Hall coefficient : Semiconductors - New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds
    Rössler, U. [Ed.] ; Chu, J. ; et al.
    2010
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Hg1-xCdxTe: two-photon absorption constant : Semiconductors - New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds
    Rössler, U. [Ed.] ; Chu, J. ; et al.
    2010
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Hg1–x–y–zCdxMnyZnzTe: energy gap : Semiconductors - New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds
    Rössler, U. [Ed.] ; Chu, J. ; et al.
    2010
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Hg1–x–y–zCdxMnyZnzTe: intrinsic carrier concentration, conductivity, Hall coefficient, mobility : Semiconductors - New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds
    Rössler, U. [Ed.] ; Chu, J. ; et al.
    2010
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Hg1–xMnxTe: ionization energies : Semiconductors - New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds
    Rössler, U. [Ed.] ; Chu, J. ; et al.
    2010
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Hg1–xMnxTe: absorption, reflectivity : Semiconductors - New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds
    Rössler, U. [Ed.] ; Chu, J. ; et al.
    2010
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Hg1-xZnxTe: reflectance : Semiconductors - New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds
    Rössler, U. [Ed.] ; Chu, J. ; et al.
    2010
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    HgTe: resisitivity, carrier mobility : Semiconductors - New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds
    Rössler, U. [Ed.] ; Chu, J. ; et al.
    2010
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    Hg1–xMnxTe: energy gaps, effective masses : Semiconductors - New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds
    Rössler, U. [Ed.] ; Chu, J. ; et al.
    2010
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Hg1–xCdxTe: activation energy : Semiconductors - New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds
    Rössler, U. [Ed.] ; Chu, J. ; et al.
    2010
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