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    MeV ion irradiation effects on the luminescence properties of Si-implanted SiO2-thin films
    Chulapakorn, T. ; Sychugov, Ilya ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Jg. 13 (2016), Heft 10-12, S. 921-926
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Dose-rate influence on the defect production in MeV proton-implanted float-zone and epitaxial n-type silicon
    Leveque, P. ; Hallén, Anders. ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B, Jg. 186 (2002), S. 375-379
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Si-nanoparticle synthesis using ion implantation and MeV ion irradiation
    Chulapakorn, T. ; Sychugov, Ilya ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2015
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Visualization of MeV ion impacts in Si using scanning capacitance microscopy
    Vines, L. ; Monakhov, E. ; et al.
    In: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics, Jg. 73 (2006), Heft 8
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Effect of 3.0 MeV helium implantation on electrical characteristics of 4H-SiC BJTs
    Usman, Muhammad ; Hallen, Anders ; et al.
    In: Physica Scripta, Jg. T140 (2010), S. 014012-14012
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Cu precipitation in electron-irradiated iron alloys for spent-fuel canisters
    Yang, Q. ; Chang, Z. ; et al.
    In: Journal of Nuclear Materials, Jg. 572 (2022)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in SwePub (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    High energy resolution detectors based on 4H-SiC
    Ivanov, A ; Kalinina, E ; et al.
    In: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004 MATERIALS SCIENCE FORUM, 2005, S. 1029-1032
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Comparative study of 4H-SiC irradiated with neutrons and heavy ions
    Kalinina, E ; Kholuyanov, G ; et al.
    In: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004 MATERIALS SCIENCE FORUM, 2005, S. 377-380
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Vacancy and interstitial depth profiles in ion-implanted silicon.
    Leveque, Patrick ; Kortegaard Nielsen, Hanne ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 93 (2003), Heft 2, S. 871-877
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Damage evolution and recovery on both Si and C sublattices in Al-implanted 4H-SiC studied by Rutherford backscattering spectroscopy and nuclear reaction analysis
    Zhang, Y. ; Weber, W. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 91 (2002), Heft 10, S. 6388-6395
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Separation of vacancy and interstitial depth profiles in proton- and boron-implanted silicon
    Pellegrino, P. ; Leveque, P. ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B, Jg. 186 (2002), S. 334-338
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Deep levels in as-grown and electron-irradiated n-type GaN studied by deep level transient spectroscopy and minority carrier transient spectroscopy
    Duc Tran, Thien ; Pozina, Galia ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016), Heft 9
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Radiation hardness for silicon oxide and aluminum oxide on 4H-SiC
    Hallén, Anders ; Suvanam, S. S.
    In: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2017 Materials Science Forum, 2018, S. 229-232
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Microstructure investigations of Fe50Mn30Co10Cr10 dual-phase high-entropy alloy under Fe ions irradiation
    Wang, Ji ; Chai, Jianlong ; et al.
    In: Journal of Nuclear Materials, Jg. 552 (2021)
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Electronic properties of defects in high-fluence electron irradiated bulk GaN
    Duc Tran, Thien ; Pozina, Galia ; et al.
    In: Physica status solidi. B, Basic research, Jg. 253 (2016), Heft 3, S. 521-526
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Characterization of oxygen dimer-enriched silicon detectors
    Boisvert, V ; Lindström, Lennart ; et al.
    In: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors, and Associated Equipment, Jg. 552 (2005), Heft 1-2, S. 49-55
    unknown
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Electrical study of fast neutron irradiated devices based on 4H-SiC CVD epitaxial layers
    Kalinina, E. ; Kholuyanov, G. ; et al.
    In: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PRTS 1 AND 2 MATERIALS SCIENCE FORUM, 2004, S. 705-708
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Hydrogen-related defect centers in float-zone and epitaxial n-type proton implanted silicon
    Leveque, P. ; Pellegrino, P. ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B, Jg. 174 (2001), Heft 3, S. 297-303
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Modifications in the chemical bonding and optical absorption of PPS by ion bombardment
    Farenzena, LS ; Papaleo, RM ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, Jg. 105 (1995), Heft 1-4, S. 134-138
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Thermal behavior of irradiation-induced-deep levels in bulk GaN
    Duc Tran, Thien ; Pozina, Galia ; et al.
    2015
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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