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    Impurity induced disordering of GaInAs quantum wells with barriers of AlGaInAs or of GaInAsP (MQW waveguides)
    Bradshaw, S. A. ; Gwilliam, Russell M. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 2002-12-09
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Properties of facet-coated 1.3 mu m InGaAsP/InP MQW lasers
    Elton, D.J. ; Bagley, M. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 2002-12-09
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Theoretical and experimental studies of the effects of strain on the performance of InP/InGaAs SCH-MQW lasers
    Singh, Jasprit ; Bhattacharya, P. K. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 2002-12-09
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Long wavelength quantum well lasers: synopsis of the RACE AQUA project on high speed MQW-DFB lasers
    Speier, P.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 2002-12-09
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Long wavelength quantum well lasers: synopsis of the RACE AQUA project on high speed MQW-DFB lasers
    Speier, P.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 2002
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Theoretical and experimental studies of the effects of strain on the performance of InP/InGaAs SCH-MQW lasers
    Nichols, D. ; Sherwin, M. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 2002
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Properties of facet-coated 1.3 mu m InGaAsP/InP MQW lasers
    Seltzer, C.P. ; Bagley, M. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 2002
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Impurity induced disordering of GaInAs quantum wells with barriers of AlGaInAs or of GaInAsP (MQW waveguides)
    Marsh, J.H. ; Bradshaw, S.A. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 2002
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    The growth of MQW planar buried heterostructure lasers with semi-insulating blocking layers by OMVPE
    Jowett, J.M. ; Moule, D.J. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 2002
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    The growth of high quality InP/InGaAs/InGaAsP interfaces by CBE for SCH multi-quantum well lasers
    Munns, G. O. ; Nichols, D. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 2002-12-09
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Very low threshold current density (Al)GaInAs/Al(Ga)InAs laser structures grown by atmospheric pressure MOVPE
    Gessner, Roland ; Druminski, M. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 2002-12-09
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    AlInAs/GaInAs SAGM-APD
    Praseuth, J.P. ; Scavennec, A. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 2002-12-09
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Laser properties of 1.35 mu m InGaAs/InGaAsP-separate-confinement-multi-quantum-well-structures
    Rosenzweig, M. ; Duser, H. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 2002-12-09
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    CBE-grown InGaAs/InP QW structures: an extensive investigation
    Cacciatore, C. ; Genova, F. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 2002-12-09
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    1.55 mu m laser on [110] InP by GSMBE
    Zamkotsian, F. ; Gaborit, Fabienne ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 2002-12-09
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Photoluminescence investigation of InGaAs-InGaAsP multiquantum wells for laser devices
    Gao, Y. ; Thibierge, H. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 2002-12-09
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Reactively ion etched nonuniform-depth grating for advanced DFB lasers
    Ishikawa, Hiroshi ; Wada, Osamu ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 2002-12-09
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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