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    Properties of facet-coated 1.3 mu m InGaAsP/InP MQW lasers
    Seltzer, C.P. ; Bagley, M. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 1991, S. 192-195
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Impurity induced disordering of GaInAs quantum wells with barriers of AlGaInAs or of GaInAsP (MQW waveguides)
    Marsh, J.H. ; Bradshaw, S.A. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 1991, S. 592-595
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Theoretical and experimental studies of the effects of strain on the performance of InP/InGaAs SCH-MQW lasers
    Nichols, D. ; Sherwin, M. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 1991, S. 146-149
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Long wavelength quantum well lasers: synopsis of the RACE AQUA project on high speed MQW-DFB lasers
    Speier, P.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 1991, S. 178-183
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The growth of MQW planar buried heterostructure lasers with semi-insulating blocking layers by OMVPE
    Jowett, J.M. ; Moule, D.J. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 1991, S. 208-211
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High power and high temperature operation of 1.5 mu m wavelength strained-layer InGaAs/InGaAsP SIPBH lasers
    Thijs, P.J.A. ; Binsma, J.J.M. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 1991, S. 184-187
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The growth of high quality InP/InGaAs/InGaAsP interfaces by CBE for SCH multi-quantum well lasers
    Sherwin, M.E. ; Nichols, D.T. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 1991, S. 476-479
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Photoluminescence investigation of InGaAs-InGaAsP multiquantum wells for laser devices
    Rao, E.V.K. ; Ougazzaden, A. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 1991, S. 97-100
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Laser properties of 1.35 mu m InGaAs/InGaAsP-separate-confinement-multi-quantum-well-structures
    Mohrle, M. ; Grutzmacher, D. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 1991, S. 188-191
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Very low threshold current density (Al)GaInAs/Al(Ga)InAs laser structures grown by atmospheric pressure MOVPE
    Gessner, R. ; Beschorner, M. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 1991, S. 220-223
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Reactively ion etched nonuniform-depth grating for advanced DFB lasers
    Matsuda, M. ; Kotaki, Y. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 1991, S. 256-259
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Characteristics and abruptness of InGaAs/InP quantum well and optoelectronic applications of quantum wells grown by GSMBE
    Iwamura, H. ; Uenohara, H. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 1991, S. 353-358
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    CBE-grown InGaAs/InP QW structures: an extensive investigation
    Antolini, A. ; Bradley, P.J. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 1991, S. 359-362
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    AlInAs/GaInAs SAGM-APD
    Le Bellego, Y. ; Praseuth, J.P. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 1991, S. 452-455
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    1.55 mu m laser on [110] InP by GSMBE
    Zamkotsian, F. ; Poingt, F. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 1991, S. 584-587
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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