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    25aA07 In_xGa_<1-x>As結晶成長における過冷却と過飽和(バルク,第34回結晶成長国内会議) / 25aA07 Supercooling and Supersaturation in the crystal growth of In_xGa_<1-x>As(NCCG-34)
    Miyata, H. ; Kinoshita, K. ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 31 (2004-08-25), Heft 3, S. 109
    academicJournal
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    17pB04 Thermodynamic study on the role of hydrogen during HVPE growth of Al_xGa_<1-x>N(NCCG-35) / 17pB04 ハライド気相成長法によるAl_xGa_<1-x>N成長の熱力学解析 : キャリアガス中水素分圧の影響(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
    Koukitu, A. ; Murakami, H. ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 32 (2005-08-17), Heft 3, S. 143
    academicJournal
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    Growth of In_xGa_<1-x> As on compositions converted InAs substrates / InAs組成変換基板上への高In組成比InGaAs成長 : エピキタシャル成長IV
    Nagai, H. ; Balakrishnan, K. ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 29 (2002-07-01), Heft 2, S. 46
    academicJournal
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    17aA07 Growth and characterization of In_xGa_<1-x>As plate crystals(NCCG-35) / 17aA07 In_xGa_<1-x>As板状結晶の育成と基板としての品質評価(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
    Kinoshita, K. ; Arai, M. ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 32 (2005-08-17), Heft 3, S. 115
    academicJournal
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    GaSb上へのAl_xGa<1-x>SbのLPE成長と基板処理法 : エピタキシー
    敏美, 和田 ; 俊明, 生駒
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 8 (1981-07-15), Heft 2, S. 89
    academicJournal
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    減圧OMVPEによるAl_Xga_<1-X>Asの選択成長 : 原子層エピタキシー技術の基礎 : トピカル・シンポジウム
    稔, 三原 ; 充, 嶋津 ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 12 (1985-07-05), Heft 3, S. 228
    academicJournal
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    Si基板上のMOVPE成長Al_xGa_<1-x>N結晶のモルフォロジー
    健治, 伊藤 ; 康夫, 小出 ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 13 (1986-07-10), Heft 1, S. 34
    academicJournal
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    LPE法で作られたAl_xGa_<1-x>As系ヘテロ接合のTEMによる評価 : エピタキシーII
    光兒, 平田 ; 俊男, 石渡 ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 18 (1991-07-25), Heft 1, S. 38
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    LPE法によるIn_xGa_<1-x>Sb厚膜結晶成長と電流偏析効果 : エピタキシーII
    圭一, 山下 ; 泰弘, 早川 ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 18 (1991-07-25), Heft 1, S. 36
    academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    超音波振動導入チョクラルスキー法による大型In_xGa_<1-x>Sb混晶成長 (III) : 融液成長III
    泰弘, 早川 ; 征司, 熊川 ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 17 (1990-07-20), Heft 1, S. 60
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    超音波振動導入チョクラルスキー法による大型In_xGa<1-x>Sb混晶成長 (II)
    忠幸, 宮田 ; 泰弘, 早川 ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 15 (1988-07-10), Heft 1, S. 5
    academicJournal
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    III族窒化物半導体(Al,Ga)Nにおける発光特性と点欠陥の相関関係(<特集>窒化物半導体結晶中の欠陥) / Impacts of Point Defects on the Luminescence Properties of (Al,Ga) N Group-III Nitride Semiconductors(<Special Issue>Defects in Nitride Semiconductors)
    Uedono, Akira ; Chichibu, Shigefusa ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 36 (2009), Heft 3, S. 166
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Correlation between Threading Dislocations and Optical Properties in InGaN Quantum Structures Studied by Scanning Near Field Optical Microscope(<Special Issue>Defects in Nitride Semiconductors) / 近接場光学顕微鏡によるInGaN量子構造の欠陥と光学特性の相関の評価(<特集>窒化物半導体結晶中の欠陥)
    Kaneta, Akio ; Funato, Mitsuru ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 36 (2009), Heft 3, S. 178
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Growth of InN and its Related Alloys by Vapor Phase Epitaxy(<Special Issue>Breakthrough in Nitride Crystal Growth for Next Generation Devices) / In系窒化物半導体のMOVPEおよびHVPE成長(<特集>次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
    Koukitu, Akinori ; Murakami, Hisashi ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 38 (2012), Heft 4, S. 255
    academicJournal
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    Crystal Growth of III-V Alloy Semiconductors by Rotational Bridgman Method(<Special Issue>Bulk Crystals for Substrates) / 回転ブリッジマン法によるIII-V族混晶半導体結晶成長(<小特集>基板結晶)
    Kumagawa, Masashi ; Ozawa, Tetsuo ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 32 (2005-03-31), Heft 1, S. 30
    academicJournal
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    22aB2 Thermodynamic Analysis on the MOVPE Growth of Nitride Semiconductors : Comparison between NH_3 and N_2H_4 sources / 22aB2 窒化物半導体のMOVPE成長の熱力学解析 : NH_3およびN_2H_4の比較(気相成長I)
    Koukitu, A ; Seki, H ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 26 (1999-07-01), Heft 2, S. 20
    academicJournal
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    Epitaxial Lateral Overgrowth of InGaAS on patterned GaAs substrates by Liquid Phase Epitaxy(II) / 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(II) : 溶液成長
    Kumagawa, M. ; Iida, S. ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 25 (1998-07-01), Heft 3, S. 101
    academicJournal
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    InGaN気相成長における気相-固相関係に対する基板拘束の影響(<小特集>ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考) / Influence of Lattice Constraint from Substrate on Relationship between Input Mole Ratio and Solid Composition of InGaN during MBE and MOVPE(<Special issue>The Role of the Substrate in Determining the Properties of Epitaxial Group III Nitrides)
    Koukitu, Akinori ; Ito, Tomonori ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 30 (2003-06-25), Heft 2, S. 104
    academicJournal
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    GaAs高指数基板上にMBE成長させたAlAs膜の他方向酸化 : エピタキシャル成長III
    Lateral Wet Oxidation of AlAS Layer Grown on High Index GaAs Substrate by MBE
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 27 (2000-07-01), Heft 1, S. 37
    academicJournal
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    Heteroepitaxy of Semiconducting Layers Grown on a Lattice-mismatched Substrate(<Special Issue2>Crystal Growth Mechanism in Atomic Scale) / 格子不整合系半導体層のヘテロエピタキシー(<特集2>原子レベルでの結晶成長)
    Sasaki, Akio ; Tabuchi, Masao ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 18 (1992-03-15), Heft 3, S. 373
    academicJournal
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