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    CVD法による銅薄膜の成膜とガスの流れの関係
    明子, 小林 ; 敦, 関口 ; et al.
    In: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編, Jg. 82 (1999-08-01), Heft 8, S. 439-445
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    ECRプラズマCVDによるSi薄膜の選択エピタキシャル成長
    俊明, 高田 ; 公洋, 佐々木 ; et al.
    In: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編, Jg. 82 (1999-04-01), Heft 4, S. 197-202
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CVD法による銅薄膜の成膜とガスの流れの関係
    明子, 小林 ; 敦, 関口 ; et al.
    In: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編, Jg. 82 (1999-08-01), Heft 8, S. 439-445
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    ECRプラズマCVDによるSi薄膜の選択エピタキシャル成長
    俊明, 高田 ; 公洋, 佐々木 ; et al.
    In: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編, Jg. 82 (1999-04-01), Heft 4, S. 197-202
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    有機けい素化合物を用いたトライオードプラズマCVD法による結晶SiC膜の成長
    寛治, 安井 ; 雅秀, 木村 ; et al.
    In: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編, Jg. 81 (1998), Heft 1, S. 122-127
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    光CVD法によるシリコン窒化膜の熱処理効果
    泰, 出口 ; 理雄, 大西 ; et al.
    In: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編, Jg. 80 (1997-04-01), Heft 4, S. 131-138
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    RFバイアス印加同軸線路形マイクロ波プラズマCVDによるSiN膜の低温作製
    義則, 森田 ; 勇, 加藤 ; et al.
    In: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編, Jg. 79 (1996-06-01), Heft 6, S. 303-310
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    プラズマCVDによって作製されたa-Si:H膜に与えるイオン衝撃の影響
    勇, 加藤 ; 俊之, 米田 ; et al.
    In: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編, Jg. 77 (1994-09-01), Heft 9, S. 385-391
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    光・プラズマCVD法によるシリコン酸化窒化膜の太陽電池ヘの応用
    登, 柴田
    In: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編, Jg. 75 (1992-12-01), Heft 12, S. 773-775
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    光CVD法によるシリコン酸化窒化膜の太陽電池への応用
    登, 柴田
    In: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編, Jg. 75 (1992-02-01), Heft 2, S. 78-84
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    光CVD法により堆積した窒化シリコン膜の性質およびMNOSメモリ特性
    泰弘, 金 ; 一功, 大西
    In: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編, Jg. 74 (1991), Heft 1, S. 26-33
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    RFバイアス印加マイクロ波プラズマCVDによるSiN薄膜の作成
    尚己, 伊藤 ; 聖隆, 加藤 ; et al.
    In: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編, Jg. 74 (1991), Heft 1, S. 21-25
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    マイクロ波プラズマCVDにおけるラジカル種の制御
    加藤 勇 他
    In: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編, Jg. 78 (1995-04-01), Heft 4, S. 142-148
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    WSix-CVDプロセスの反応機構--WF6/SiH4,WF6/Si2H6反応系の比較
    斉藤 丈靖 他
    In: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編, Jg. 78 (1995-05-01), Heft 5, S. 221-229
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    新核形成法によるバリヤ層のないCVD-Al埋込配線形成
    新沢 勉 他
    In: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編, Jg. 78 (1995-05-01), Heft 5, S. 230-236
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    ヘリコンプラズマバイアスCVDにおける層間絶縁膜の埋設特性評価
    田村 好宏 他
    In: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編, Jg. 78 (1995-05-01), Heft 5, S. 207-212
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    CVD-Al薄膜の成長過程とその下地依存性--堆積膜表面からの反射光強度のモニタ
    小林 明子 他
    In: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編, Jg. 78 (1995-05-01), Heft 5, S. 237-243
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    WF6/Si2H6によるWSixブランケットCVDのモデリングとシミュレーション
    江頭 靖幸 他
    In: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編, Jg. 78 (1995-05-01), Heft 5, S. 213-220
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    光CVD法によるシリコン窒化膜のたい積とアモルファスシリコン薄膜トランジスタ
    鈴木 和彦 他
    In: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編, Jg. 72 (1989-10-01), Heft 10, S. 927-933
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    プラズマCVD法によるSiN膜の内部応力とカーボン添加による電気的特性の改善
    安井 寛治 他
    In: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編, Jg. 72 (1989-07-01), Heft 7, S. 748-754
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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