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    六方晶BN薄膜の減圧CVD成長の高温化
    泰己, 大石 ; 泰良, 渡邉 ; et al.
    In: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編], Jg. 2023 (2023), Heft 2-9・11-18, S. 57-60
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    六方晶BN薄膜の減圧CVD成長の高温化
    泰己, 大石 ; 泰良, 渡邉 ; et al.
    In: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編], Jg. 2023 (2023), Heft 2-9・11-18, S. 57-60
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    c面サファイアおよびSi(111)基板上への六方晶BN薄膜のCVD成長
    朝泰, 名嘉眞 ; 一貴, 松下 ; et al.
    In: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編], Jg. 2020 (2020), Heft 1-35, S. 1-4
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    c面サファイアおよびSi(111)基板上への六方晶BN薄膜のCVD成長
    朝泰, 名嘉眞 ; 一貴, 松下 ; et al.
    In: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編], Jg. 2020 (2020), Heft 1-35, S. 1-4
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    c面サファイア基板上における六方晶BN薄膜の減圧CVD成長機構
    匠, 川原崎 ; 直己, 梅原 ; et al.
    In: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編], Jg. 2018 (2018), Heft 1-7・9-17・19・20・22-31, S. 1-4
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    c面サファイア基板上における六方晶BN薄膜の減圧CVD成長機構
    匠, 川原崎 ; 直己, 梅原 ; et al.
    In: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編], Jg. 2018 (2018), Heft 1-7・9-17・19・20・22-31, S. 1-4
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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