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    CVD tungsten metallization and electron beam lithography for fabricating submicron interconnects for advanced ULSI
    Wilson, S.R. ; Mattox, R.J.
    In: 1988. Proceedings., Fifth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1988, S. 158-164
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Reactive ion etching of thick CVD tungsten films
    Jucha, B. ; Davis, C.
    In: 1988. Proceedings., Fifth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1988, S. 165-171
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Interlayered dielectric planarization with TEOS-CVD and SOG
    Kawai, M. ; Matsuda, K. ; et al.
    In: 1988. Proceedings., Fifth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1988, S. 419-425
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A high-performance submicron CMOS two-level metal technology incorporating a plasma CVD TEOS interlevel dielectric
    Hills, G.W. ; Thoma, M.J. ; et al.
    In: 1988. Proceedings., Fifth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1988, S. 35-42
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Thermal budgeting in a double level metal process with CVD tungsten as first metal
    Smith, G.C. ; Gale, R.J. ; et al.
    In: 1988. Proceedings., Fifth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1988, S. 212-218
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    New development in CVD tungsten technology for multilevel interconnection
    Ahn, K.Y.
    In: 1988. Proceedings., Fifth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1988, S. 125-134
    Konferenz
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    A submicron CMOS two level metal process with planarization techniques
    Fritsch, U. ; Higelin, G. ; et al.
    In: 1988. Proceedings., Fifth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1988, S. 69-75
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Double level interconnection system for submicron CMOS applications
    Higelin, G. ; Fritsch, U. ; et al.
    In: 1988. Proceedings., Fifth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1988, S. 29-34
    Konferenz
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    Submicron wiring technology with tungsten and planarization
    Kaanta, C. ; Cote, W. ; et al.
    In: 1988. Proceedings., Fifth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1988, S. 21-28
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Manufacturable and reliable spin-on-glass planarization process for 1 mu m CMOS double layer metal technology
    Morimoto, S. ; Grant, S.Q.
    In: 1988. Proceedings., Fifth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1988, S. 411-418
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The effects of annealing ambients on dielectric strength of gate oxides with tungsten polycide gate
    Tanigaki, Y. ; Moribe, S. ; et al.
    In: 1988. Proceedings., Fifth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1988, S. 191-197
    Konferenz
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    Electromigration resistant alternatives to aluminum-copper
    Armstrong, N.P. ; White, S.J. ; et al.
    In: 1988. Proceedings., Fifth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1988, S. 460-468
    Konferenz
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    An electromigration and related resistance increase phenomenon on a tungsten filled via hole structure
    Matsuoka, F. ; Hama, K. ; et al.
    In: 1988. Proceedings., Fifth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1988, S. 491-497
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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