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    CVD aluminum for submicron VLSI metallization
    Lai, W.Y. C. ; Cheung, K.P. ; et al.
    In: 1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, S. 89-95
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A manufacturable ILD gap fill process with biased ECR CVD
    Chebi, R. ; Mittal, S.
    In: 1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, S. 61-67
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    H/sub 2/O-TEOS plasma-CVD realizing dielectrics having a smooth surface
    Hatanaka, M. ; Mizushima, Y. ; et al.
    In: 1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, S. 435-441
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    An integrated aluminum/CVD-W metallization process for sub-micron contact filling
    Ellwanger, R.C. ; Broadbent, E.K. ; et al.
    In: 1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, S. 41-50
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Limitation of sputtered adhesion layer thickness for blanket CVD W in very high aspect contact filling
    Sakamoto, A. ; Chen, S. C. ; et al.
    In: 1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, S. 338-340
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Degradation and improvement of deep sub-micron contact metallization using selective tungsten CVD
    Sekine, M. ; Kakuhara, Y. ; et al.
    In: 1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, S. 335-337
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Biased ECR CVD oxide deposition using TEOS and TMCTS
    Pai, C.S. ; Miner, J.F. ; et al.
    In: 1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, S. 442-444
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Reaction mechanism of TEOS and O/sub 3/ atmospheric pressure CVD
    Fujino, K. ; Nishimoto, Y. ; et al.
    In: 1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, S. 445-447
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Multilevel interconnects using Al CVD
    Wolff, S. ; Chang, J. ; et al.
    In: 1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, S. 307-307
    Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Tungsten plug-in wiring structure for high density three dimensional devices
    Kajiyana, K. ; Oyama, K. ; et al.
    In: 1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, S. 130-136
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    The limitations of sputtered TiW as a blanket tungsten nucleation layer
    Miller, M.F. ; Tracy, C.J.
    In: 1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, S. 304-306
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A highly reliable multilevel interconnection process for 0.6 mu m CMOS devices
    Takata, Y. ; Ishii, A. ; et al.
    In: 1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, S. 13-19
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A novel application of polyimide-W-Al/Cu for VLSI interconnect
    Joshi, R.V. ; Hsu, L. ; et al.
    In: 1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, S. 75-81
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    New OMCVD precursors for selective copper metallization
    Norman, J.A.T. ; Muratore, B.A. ; et al.
    In: 1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, S. 123-129
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Development and production integration of a submicron tungsten interconnect process
    Brown, K.C. ; Coniff, J. ; et al.
    In: 1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, S. 308-311
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Electromigration characteristics of Al/W via contact under unidirectional and bidirectional current conditions
    Tao, Jiang ; Young, K.K. ; et al.
    In: 1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, S. 390-392
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Al/TiN/W/Si contact metallization using multi-chamber deposition system
    Saitoh, S. ; Inoue, M. ; et al.
    In: 1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, S. 323-325
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Effect of sputtered TiW deposition conditions on barrier properties for submicron metallization
    Georgiou, G.E. ; Baker, M. ; et al.
    In: 1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, S. 420-422
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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