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    Limits of strain compensation in MQW InGaAsP/InP 1.5 μm lasers
    Houghton, D.C. ; Davies, M. ; et al.
    In: 1993 (5th) International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2002
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    MOVPE of strained InGaAsP/InGaAsP MQW structures for laser applications
    Wiedemann, P. ; Klenk, M. ; et al.
    In: 1993 (5th) International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2002
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Growth and characterisation of InAsP/InP SQW and MQW PIN diode structures
    David, J.P.R. ; Hopkinson, M. ; et al.
    In: 1993 (5th) International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2002
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Experimental characterization of interface roughness in strained InGaAs/InP MQWs after a growth interruption sequence
    Juillaguet, S. ; Schwedler, R. ; et al.
    In: 1993 (5th) International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2002
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    MBE grown strained and unstrained InGaAs/InAlGaAs MQW lasers
    Steinhagen, F. ; Losch, R. ; et al.
    In: 1993 (5th) International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2002
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Experimental investigation of the thermal stability of strained InGaAs/InGaAsP MQWs
    Camassel, J. ; Peyre, H. ; et al.
    In: 1993 (5th) International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2002
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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