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    A highly versatile 0.18 /spl mu/m CMOS technology with dense embedded SRAM
    Bhat, M. ; Shi, S. ; et al.
    In: 2000 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37104), 2000, S. 166-167
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A simple embedded DRAM process for 0.16-/spl mu/m CMOS technologies
    Liu, C.T. ; Diodato, P.W. ; et al.
    In: 2000 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37104), 2000, S. 60-61
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A 0.17 /spl mu/m embedded DRAM technology with 0.23 /spl mu/m/sup 2/ cell size and advanced CMOS logic
    Wurzer, H. ; Feldner, I. ; et al.
    In: 2000 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37104), 2000, S. 64-65
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A 0.99-/spl mu/m/sup 2/ loadless four-transistor SRAM cell in 0.13-/spl mu/m generation CMOS technology
    Masuoka, S. ; Noda, K. ; et al.
    In: 2000 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37104), 2000, S. 164-165
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A 0.20 /spl mu/m CMOS technology with copper-filled contact and local interconnect
    Islam, R. ; Venkatesan, S. ; et al.
    In: 2000 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37104), 2000, S. 22-23
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A partially depleted 1.8 V SOI CMOS SRAM technology featuring a 3.77 /spl mu/m/sup 2/ cell
    Cox, K. ; Scott, J. ; et al.
    In: 2000 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37104), 2000, S. 170-171
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A high performance 0.13 /spl mu/m SOI CMOS technology with Cu interconnects and low-k BEOL dielectric
    Smeys, P. ; McGahay, V. ; et al.
    In: 2000 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37104), 2000, S. 184-185
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A CMOS technology platform for 0.13 /spl mu/m generation SOC (system on a chip)
    Yoshimura, H. ; Nakayama, T. ; et al.
    In: 2000 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37104), 2000, S. 144-145
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Characteristics of Al/sub 2/O/sub 3/ gate dielectric prepared by atomic layer deposition for giga scale CMOS DRAM devices
    Park, Dae-Gyu ; Cho, Heung-Jae ; et al.
    In: 2000 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37104), 2000, S. 46-47
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    VLSI Symposium and silicon technology: a twenty year perspective
    El-Mansy, Y.A.
    In: 2000 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37104), 2000, S. 2-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    High density embedded DRAM technology with 0.38 /spl mu/m pitch in DRAM and 0.42 /spl mu/m pitch in LOGIC by W/PolySi gate and Cu dual damascene metallization
    Takenaka, N. ; Segawa, M. ; et al.
    In: 2000 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37104), 2000, S. 62-63
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A novel logic compatible gain cell with two transistors and one capacitor
    Ikeda, N. ; Terano, T. ; et al.
    In: 2000 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37104), 2000, S. 168-169
    Konferenz
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