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    Investigation of circuit-level oxide degradation and its effect on CMOS inverter operation and MOSFET characteristics
    CHEEK, Betsy J ; STUTZKE, Nate ; et al.
    In: 2004 IEEE international reliability physics symposium proceedings, 42nd annual (Phoenix AZ, 25-29 April 2004), 2004, S. 110-116
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effects of hot-carrier stress on the performance of CMOS low noise amplifier
    NASEH, Sasan ; JAMAL DEEN, M
    In: 2004 IEEE international reliability physics symposium proceedings, 42nd annual (Phoenix AZ, 25-29 April 2004), 2004, S. 417-421
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Enhanced ESD protection robustness of a lateral NPN structure in the advanced CMOS
    VASSILEV, V ; GROESENEKEN, G ; et al.
    In: 2004 IEEE international reliability physics symposium proceedings, 42nd annual (Phoenix AZ, 25-29 April 2004), 2004, S. 605-606
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CMOS transistor electrical ageing experiments to build VHDL-AMS behavioral models
    MONGELLAZ, Benoit ; MARE, Francois ; et al.
    In: 2004 IEEE international reliability physics symposium proceedings, 42nd annual (Phoenix AZ, 25-29 April 2004), 2004, S. 649-650
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    RF S-parameter degradation under hot carrier stress
    WALKO, Joseph P ; ABADEER, Bill
    In: 2004 IEEE international reliability physics symposium proceedings, 42nd annual (Phoenix AZ, 25-29 April 2004), 2004, S. 422-425
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    The influence of heavily doped buried layer implants on electrostatic discharge (ESD), latchup, and a silicon germanium heterojunction bipolar transistor in a bicmos sige technology
    VOLDMAN, S ; LANZEROTTI, L ; et al.
    In: 2004 IEEE international reliability physics symposium proceedings, 42nd annual (Phoenix AZ, 25-29 April 2004), 2004, S. 143-151
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Enhanced hot-electron performance of stranined Si NMOS over unstrained Si
    KELLY, D. Q ; ONSONGO, D ; et al.
    In: 2004 IEEE international reliability physics symposium proceedings, 42nd annual (Phoenix AZ, 25-29 April 2004), 2004, S. 455-462
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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