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    Integration of a 90nm RF CMOS technology (200GHz fmax - 150GHz fT NMOS) demonstrated on a 5GHz LNA
    JEAMSAKSIRI, W ; MERCHA, A ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 100-101
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Thermally robust dual-work function ALD-MNx MOSFETs using conventional CMOS process flow
    PARK, D.-G ; LUO, Z. J ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 186-187
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Extended scaling of ultrathin gate oxynitride toward sub-65nm CMOS by optimization of UV photo-oxidation, soft plasma/thermal nitridation & stress enhancement
    CHEN, Chi-Chun ; CHANG, V. S ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 176-177
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A simplified hybrid orientation technology (SHOT) for high performance CMOS
    DORIS, B ; ZHANG, Y ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 86-87
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Dual work function metal gate CMOS using CVD metal electrodes
    NARAYANAN, V ; CALLEGARI, A ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 192-193
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A hp22 nm node low operating power (LOP) technology with Sub-10 nm gate length planar bulk CMOS devices
    YASUTAKE, N ; OHUCHI, K ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 84-85
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    55nm high mobility SiGe(:C) pMOSFETs with HfO2 gate dielectric and TiN metal gate for advanced CMOS
    WEBER, O ; DUCROQUET, F ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 42-43
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Direct measurement of stress dependent inversion layer mobility using a novel test structure
    OKAGAKI, Takeshi ; TANIZAWA, Motoaki ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 120-121
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Detrimental impact of hydrogen on negative bias temperature instabilities in HfO2-based pMOSFETs
    HOUSSA, M ; DE GENDT, S ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 212-213
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    5nm-Gate nanowire FinFET
    YANG, Fu-Liang ; LEE, Di-Hong ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 196-197
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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