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    Integrated Circuits and Manufacturing - Advanced CMOS and Platform Technology
    In: 2006 International Electron Devices Meeting, 2006-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CMOS Devices - Advanced Bulk MOSFETs
    In: 2006 International Electron Devices Meeting, 2006-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Integration of Sub-melt Laser Annealing on Metal Gate CMOS Devices for Sub 50 nm Node DRAM
    Buh, Gyoung Ho ; Yon, Guk-Hyon ; et al.
    In: 2006 International Electron Devices Meeting, 2006-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CMOS Devices - Silicon-on-Insulator and Multi-Gate Devices
    In: 2006 International Electron Devices Meeting, 2006-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High Performance 45-nm SOI Technology with Enhanced Strain, Porous Low-k BEOL, and Immersion Lithography
    Agnello, P. ; Ivers, T. ; et al.
    In: 2006 International Electron Devices Meeting, 2006-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Suppression of Anomalous Gate Edge Leakage Current by Control of Ni Silicidation Region using Si Ion Implantation Technique
    Yamaguchi, T. ; Kashihara, K. ; et al.
    In: 2006 International Electron Devices Meeting, 2006-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A 45nm High Performance Bulk Logic Platform Technology (CMOS6) using Ultra High NA(1.07) Immersion Lithography with Hybrid Dual-Damascene Structure and Porous Low-k BEOL
    Nii, H. ; Sanuki, T. ; et al.
    In: 2006 International Electron Devices Meeting, 2006-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Integrated Circuits and Manufacturing - DRAM and MRAM Memory Technologies
    In: 2006 International Electron Devices Meeting, 2006-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Fully Integrated Advanced Bulk FinFETs Architecture Featuring Partially-Insulating Technique for DRAM Cell Application of 40nm Generation and Beyond
    Park, Jong-Man ; Han, Sang-Yeon ; et al.
    In: 2006 International Electron Devices Meeting, 2006-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Impact of Stochastic Mismatch on Measured SRAM Performance of FinFETs with Resist/Spacer-Defined Fins: Role of Line-Edge-Roughness
    Dixit, A. ; Anil, K. G. ; et al.
    In: 2006 International Electron Devices Meeting, 2006-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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