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    Heterogeneous wafer-scale integration of 250nm, 300GHz InP DHBTs with a 130nm RF-CMOS technology
    Li, J.C. ; Royter, Y. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Session 27: CMOS devices and technology - advanced CMOS logic and SoC platforms
    Lee, Seok-Hee ; Josse, Emmanuel
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High voltage devices integration into advanced CMOS technologies
    Bianchi, R.A. ; Monsieur, F. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Designing smart temperature sensors in standard CMOS
    Makinwa, Kofi A. A.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Low temperature (≤ 380°C) and high performance Ge CMOS technology with novel source/drain by metal-induced dopants activation and high-k/metal gate stack for monolithic 3D integration
    Park, Jin-Hong ; Tada, Munehiro ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    RF performance boosting for 40nm-node CMOS device by low-k/Cu dual damascene contact
    Kawahara, J. ; Hijioka, K. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Highly reliable CMOS-integrated 11MPixel SiGe-based micro-mirror arrays for high-end industrial applications
    Haspeslagh, Luc ; De Coster, Jeroen ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Impact of SOI, Si1-xGexOI and GeOI substrates on CMOS compatible Tunnel FET performance
    Mayer, F. ; Le Royer, C. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Session 16: Process technology - Ge-Channel CMOS and advanced gate stacks
    Murthy, Anand
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    More strain and less stress- the guideline for developing high-end strained CMOS technologies with acceptable reliability
    Chung, Steve S. ; Hsieh, E. R. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    High RF power transistor with laterally modulation-doped channel and self-aligned silicide in 45nm node CMOS technology
    Shima, M. ; Suzuki, T. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A low power 40nm CMOS technology featuring extremely high density of logic (2100kGate/mm2) and SRAM (0.195μm2) for wide range of mobile applications with wireless system
    Watanabe, R. ; Oishi, A. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A cost-conscious 32nm CMOS platform technology with advanced single exposure lithography and gate-first metal gate/high-k process
    Hasegawa, S. ; Kitamura, Y. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Session 10: CMOS devices and technology - Vth variation and scaling
    Faynot, Olivier ; Breashears, Eddie
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Advanced simulation of statistical variability and reliability in nano CMOS transistors
    Asenov, A. ; Roy, S. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
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    Session 23: CMOS devices and technology - characteristics of mobility and threshold voltage in advanced devices
    Chang, Chih-Sheng ; Shin, Hyungcheol
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
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    32nm general purpose bulk CMOS technology for high performance applications at low voltage
    Arnaud, F. ; Liu, J. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Implementation and optimization of asymmetric transistors in advanced SOI CMOS technologies for high performance microprocessors
    Hoentschel, J. ; Wei, A. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Session 35: CMOS devices and technology - alternative MOSFET device architectures and materials
    Clerc, Raphael ; Imai, Kiyotaka
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Nanowire FETs for low power CMOS applications featuring novel gate-all-around single metal FUSI gates with dual Φm and VT tune-ability
    Jiang, Y. ; Liow, T. Y. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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