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    Investigating the BJT-like behavior of MOSFETs in ultra-deep-submicron CMOS technologies with significant gate current
    Washburn, C. ; Eric Scott Bohannon ; et al.
    In: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009-12-01
    Online unknown
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    Nano-CMOS circuit design and performance evaluation by inclusion of ballistic transport processes
    Chek, Desmond C. Y. ; Michael Loong Peng Tan ; et al.
    In: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009-12-01
    Online unknown
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    Nanoscale TiN wet etching and its application for FinFET fabrication
    Yamauchi, Hiromi ; Hayashida, T. ; et al.
    In: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009-12-01
    Online unknown
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    Design of SOI FinFET on 32 nm technology node for low standby power (LSTP) operation considering gate-induced drain leakage (GIDL)
    Endo, Kazuhiko ; Park, Byung-Gook ; et al.
    In: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009-12-01
    Online unknown
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    Variation analysis of TiN FinFETs
    Sakamoto, Kunihiro ; Liu, Y. X. ; et al.
    In: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009-12-01
    Online unknown
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    Optimum body thickness of (111)-oriented ultra-thin body double-gate MOSFETs with respect to quantum-calculated phonon-limited mobility
    Poljak, Mirko ; Suligoj, Tomislav ; et al.
    In: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009-12-01
    Online unknown
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    Analytical modeling of the gate tunneling leakage for the determination of adequate high-K dielectrics in 22 nm double-gate SOI MOSFETs
    Ritzenthaler, Romain ; Darbandy, Ghader ; et al.
    In: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009-12-01
    Online unknown
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    Mobility measurements in Gd silicate/TiN SOI and sSOI n-MOSFETs
    Buca, Dan ; Gottlob, H. D. B. ; et al.
    In: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009-12-01
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    Effects of fin width on memory windows in FinFET ZRAMs
    Cristoloveanu, Sorin ; Schrimpf, Ronald D. ; et al.
    In: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009-12-01
    Online unknown
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    Cryogenic matching performance of 90 nm MOSFETs
    Cressler, John D. ; Chakraborty, Partha S. ; et al.
    In: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009-12-01
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    Simulation study of device physics issues in III–V MOSFETs at 10 nm node
    Luisier, Mathieu ; Liu, Yang ; et al.
    In: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009-12-01
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Investigation of SILC via energy resolved spin dependent tunneling spectroscopy
    Ryan, Jason T. ; Krishnan, Anand T. ; et al.
    In: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009-12-01
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A high performance MOSFET on selective buried oxide with improved short channel effects
    S. Sundar Kumar Iyer ; Qureshi, S. ; et al.
    In: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009-12-01
    Online unknown
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    Electrodeposited Ni/Ge contacts for limiting leakage currents in Schottky barrier MOSFETs
    C.H. de Groot ; Husain, Muhammad ; et al.
    In: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009-12-01
    Online unknown
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    Comparison of bipolar bias-temperature instability on MOSFETs with HfO2/LaOx and HfO2/AlOx dielectric stacks
    Chang-Liao, Kuei-Shu ; Tsao, Che-Hao ; et al.
    In: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009-12-01
    Online unknown
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    Fabrication and characterization of buried-gate fin and recess channel MOSFET for high performance and low GIDL current
    Kim, Hyun-Woo ; Oh, Jeong-Hoon ; et al.
    In: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009-12-01
    Online unknown
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