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    A novel BEOL transistor (BETr) with InGaZnO embedded in Cu-interconnects for on-chip high voltage I/Os in standard CMOS LSIs
    Kaneko, Kishou ; Inoue, Naoya ; et al.
    In: 2011 Symposium on VLSI Technology - Digest of Technical Papers, 2011-06-01, S. 120-121
    Konferenz
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    Electronic global shutter CMOS image sensor using oxide semiconductor FET with extremely low off-state current
    Aoki, Takeshi ; Ikeda, Masataka ; et al.
    In: 2011 Symposium on VLSI Technology - Digest of Technical Papers, 2011-06-01, S. 174-175
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CMOS integration of InGaAs nMOSFETs and Ge pMOSFETs with self-align Ni-based metal S/D using direct wafer bonding
    Yokoyama, M. ; Kim, S. H. ; et al.
    In: 2011 Symposium on VLSI Technology - Digest of Technical Papers, 2011-06-01, S. 60-61
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    ETSOI CMOS for system-on-chip applications featuring 22nm gate length, sub-100nm gate pitch, and 0.08µm2 SRAM cell
    Cheng, K. ; Khakifirooz, A. ; et al.
    In: 2011 Symposium on VLSI Technology - Digest of Technical Papers, 2011-06-01, S. 128-129
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A novel and direct experimental observation of the discrete dopant effect in ultra-scaled CMOS devices
    Hsieh, E. R. ; Chung, Steve S. ; et al.
    In: 2011 Symposium on VLSI Technology - Digest of Technical Papers, 2011-06-01, S. 194-195
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    RF and mixed-signal performances of a low cost 28nm low-power CMOS technology for wireless system-on-chip applications
    Yang, Ming-Ta ; Liao, Ken ; et al.
    In: 2011 Symposium on VLSI Technology - Digest of Technical Papers, 2011-06-01, S. 40-41
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A 28nm poly/SiON CMOS technology for low-power SoC applications
    Liang, C. W. ; Chen, M. T. ; et al.
    In: 2011 Symposium on VLSI Technology - Digest of Technical Papers, 2011-06-01, S. 38-39
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Gate-last vs. gate-first technology for aggressively scaled EOT logic/RF CMOS
    Veloso, A. ; Ragnarsson, L. A. ; et al.
    In: 2011 Symposium on VLSI Technology - Digest of Technical Papers, 2011-06-01, S. 34-35
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Design technology co-optimization in technology definition for 22nm and beyond
    Northrop, Greg
    In: 2011 Symposium on VLSI Technology - Digest of Technical Papers, 2011-06-01, S. 112-113
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Scalable TaN metal source/drain & gate InGaAs/Ge n/pMOSFETs
    Maeda, T. ; Urabe, Y. ; et al.
    In: 2011 Symposium on VLSI Technology - Digest of Technical Papers, 2011-06-01, S. 62-63
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ultra-thin buried nitride integration for multi-VT, low-variability and power management in planar FDSOI CMOSFETs
    Nguyen, P. ; Andrieu, F. ; et al.
    In: 2011 Symposium on VLSI Technology - Digest of Technical Papers, 2011-06-01, S. 164-165
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Comparison of performance, switching energy and process variations for the TFET and MOSFET in logic
    Avci, Uygar E. ; Rios, Rafael ; et al.
    In: 2011 Symposium on VLSI Technology - Digest of Technical Papers, 2011-06-01, S. 124-125
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A 0.021 µm2 trigate SRAM cell with aggressively scaled gate and contact pitch
    Guillorn, M.A. ; Chang, J. ; et al.
    In: 2011 Symposium on VLSI Technology - Digest of Technical Papers, 2011-06-01, S. 64-65
    Konferenz
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    An efficient manufacturing technique based on process compact model to reduce characteristic variation beyond process limit for 40 nm node mass production
    Kakehi, K. ; Aikawa, H. ; et al.
    In: 2011 Symposium on VLSI Technology - Digest of Technical Papers, 2011-06-01, S. 90-91
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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