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    A circuit level variability prediction of basic logic gates in advanced trigate CMOS technology
    Hsieh, E. R. ; Hung, C. M. ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High-performance CMOS-compatible self-aligned In0.53Ga0.47As MOSFETs with GMSAT over 2200 µS/µm at VDD = 0.5 V
    Sun, Y. ; Majumdar, A. ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High-performance tri-gate poly-Ge junction-less p- and n-MOSFETs fabricated by flash lamp annealing process
    Usuda, K. ; Kamata, Y. ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Heterogeneously integrated sub-40nm low-power epi-like Ge/Si monolithic 3D-IC with stacked SiGeC ambient light harvester
    Shen, Chang-Hong ; Shieh, Jia-Min ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Technology pathfinders for low cost and highly integrated RF Front End modules
    Raynaud, C.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Pairwise coupled hybrid vanadium dioxide-MOSFET (HVFET) oscillators for non-boolean associative computing
    Shukla, N. ; Parihar, A. ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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