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    Ka-Band LNA MMIC's Realized in Fmax > 580 GHz GaN HEMT Technology
    Micovic, Miro ; Brown, David ; et al.
    In: 2016 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), 2016-10-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Multi-Octave and Frequency-Agile LNAs Covering S-C Band Using 0.25 µm GaN Technology
    Mattamana, A. ; Gouty, W. ; et al.
    In: 2016 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), 2016-10-01, S. 1-5
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Wideband W-Band GAN LNA MMIC with State-of-the-Art Noise Figure
    Lardizabal, S. ; Hwang, K. C. ; et al.
    In: 2016 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), 2016-10-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    35nm InP HEMT LNAs at E/W-Band Frequencies
    Estella, Nicholas ; Bui, Lani ; et al.
    In: 2016 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), 2016-10-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -