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    W-band energy harvesting rectenna array in 65-nm CMOS
    Shaulov, Edoh ; Jameson, Samuel ; et al.
    In: 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017-06-01, S. 307-310
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    56-Gbit/s 16-QAM wireless link with 300-GHz-band CMOS transmitter
    Takano, Kyoya ; Katayama, Kosuke ; et al.
    In: 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017-06-01, S. 793-796
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A CMOS single-cell deformability analysis using 3D hydrodynamic stretching in a GHz dielectric flow cytometry
    Chien, Jun-Chau ; Anwar, Mekhail ; et al.
    In: 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017-06-01, S. 861-864
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    0.4-THz wideband imaging transmitter in 65-nm CMOS
    Ahmad, Zeshan ; Kenneth, O.
    In: 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017-06-01, S. 99-102
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A V-band low-phase-noise low-jitter sub-harmonically injection-locked QVCO with high quadrature accuracy in 90-nm CMOS process
    Chan, Chun-Ching ; Yeh, Han-Nong ; et al.
    In: 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017-06-01, S. 1359-1362
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A Ku band 4-Element phased array transceiver in 180 nm CMOS
    Zhang, Xiaoning ; Chen, Dong ; et al.
    In: 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017-06-01, S. 1595-1598
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A G-band SPST switch with 2.4-dB insertion loss and minimum 28.5-dB isolation using grounded co-planar waveguide folded coupled line topology in 65-nm CMOS technology
    Wang, Yunshan ; Chen, Chun-Nien ; et al.
    In: 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017-06-01, S. 1718-1721
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Highly efficient and linear class-E CMOS digital power amplifier using a compensated Marchand balun and circuit-level linearization achieving 67% peak DE and −40dBc ACLR without DPD
    Hashemi, Mohsen ; Zhou, Lei ; et al.
    In: 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017-06-01, S. 2025-2028
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A K-band transformer based power amplifier with 24.4-dBm output power and 28% PAE in 90-nm CMOS technology
    Lin, Jung-Lin ; Lin, Yu-Hsuan ; et al.
    In: 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017-06-01, S. 31-34
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    0.01 GHz to 110 GHz distributed common-gate power detector in standard CMOS 65 nm technology
    Wei, Muh-Dey ; Qayyum, Saad ; et al.
    In: 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017-06-01, S. 634-637
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A low minimum detectable power, high dynamic range, V-Band CMOS millimeter-wave logarithmic power detector
    Chou, Chien-Chang ; Lai, Wen-Chian ; et al.
    In: 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017-06-01, S. 642-645
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Low voltage and low power UWB CMOS LNA using current-reused and forward body biasing techniques
    Guo, Jyh-Chyurn ; Lin, Ching-Shiang ; et al.
    In: 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017-06-01, S. 764-767
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 475–511GHz radiating source with SIW-based harmonic power extractor in 40 nm CMOS
    Guo, Kaizhe ; Reynaert, Patrick
    In: 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017-06-01, S. 95-98
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A 0.029 mm2 8 Gbit/s current-mode AGC amplifier with reconfigurable closed-loop control in 65 nm CMOS
    Thangarasu, Bharatha Kumar ; Ma, Kaixue ; et al.
    In: 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017-06-01, S. 107-110
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A fully integrated high gain 85–106 GHz packaged receiver module in CMOS 65 nm for FMCW radar
    Jameson, Samuel ; Marks, Aviv ; et al.
    In: 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017-06-01, S. 1203-1206
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A 210GHz triple-push oscillator in 90nm CMOS
    Hsieh, Cuei-Ling ; Liu, Jenny Yi-Chun
    In: 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017-06-01, S. 1349-1352
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    CMOS-compatible on-chip self-rolled-up inductors for RF/mm-wave applications
    Huang, Wen ; Zhou, Jingchao ; et al.
    In: 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017-06-01, S. 1645-1648
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A wideband millimeter-wave differential stacked-FET power amplifier with 17.3 dBm output power and 25% PAE in 45nm SOI CMOS
    Xia, Jingjing ; Chung, Arthur ; et al.
    In: 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017-06-01, S. 1691-1694
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    An adaptively biased stacked power amplifier without output matching network in 90-nm CMOS
    Lee, Yi-Chi ; Chen, Tai-Yi ; et al.
    In: 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017-06-01, S. 1667-1690
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A compact 213 GHz CMOS fundamental oscillator with 0.56 mW output power and 3.9% efficiency using a capacitive transformer
    Wang, Hao ; Kuzmenko, Daniel ; et al.
    In: 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017-06-01, S. 1711-1714
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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