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    Enhancement-Mode Ambipolar Thin-Film Transistors and CMOS Logic Circuits using Bilayer Ga <subscript>2</subscript> O <subscript>3</subscript> /NiO Semiconductors.
    Yuvaraja, S ; Khandelwal, V ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces, Jg. 16 (2024-02-07), Heft 5, S. 6088-6097
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Vertically Integrated CMOS Ternary Logic Device with Low Static Power Consumption and High Packing Density.
    Han, JK ; Lee, JW ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces, 2023-10-25
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ferroelectric Nitride Heterostructures on CMOS Compatible Molybdenum for Synaptic Memristors.
    Wang, P ; Wang, D ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces, Jg. 15 (2023-04-12), Heft 14, S. 18022-18031
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ruthenium-Assisted Chemical Etching of Silicon: Enabling CMOS-Compatible 3D Semiconductor Device Nanofabrication.
    Mallavarapu, A ; Ajay, P ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces, Jg. 13 (2021-01-13), Heft 1, S. 1169-1177
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Correction to "Green-Light-Selective Organic Photodiodes with High Detectivity for CMOS Color Image Sensors".
    Lim, Y ; Yun, S ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces, Jg. 13 (2021-03-03), Heft 8, S. 10664
    unknown
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    Green-Light-Selective Organic Photodiodes with High Detectivity for CMOS Color Image Sensors.
    Lim, Y ; Yun, S ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces, Jg. 12 (2020-11-18), Heft 46, S. 51688-51698
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Symmetric Ambipolar Thin-Film Transistors and High-Gain CMOS-like Inverters Using Environmentally Friendly Copper Nitride.
    Matsuzaki, K ; Katase, T ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces, Jg. 11 (2019-09-25), Heft 38, S. 35132-35137
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CMOS-Compatible Catalyst for MacEtch: Titanium Nitride-Assisted Chemical Etching in Vapor phase for High Aspect Ratio Silicon Nanostructures.
    Kim, JD ; Kim, M ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces, Jg. 11 (2019-07-31), Heft 30, S. 27371-27377
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Aggregation-Induced Enhanced Emission (AIEE)-Active Conjugated Mesoporous Oligomers (CMOs) with Improved Quantum Yield and Low-Cost Detection of a Trace Amount of Nitroaromatic Explosives.
    Sengottuvelu, D ; Kachwal, V ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces, Jg. 12 (2020-07-15), Heft 28, S. 31875-31886
    academicJournal
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    Back-End, CMOS-Compatible Ferroelectric Field-Effect Transistor for Synaptic Weights.
    Halter, M ; Bégon-Lours, L ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces, Jg. 12 (2020-04-15), Heft 15, S. 17725-17732
    academicJournal
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    Low-Voltage, CMOS-Free Synaptic Memory Based on Li <subscript>X</subscript> TiO <subscript>2</subscript> Redox Transistors.
    Li, Y ; Fuller, EJ ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces, Jg. 11 (2019-10-23), Heft 42, S. 38982-38992
    academicJournal
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    Fabrication of Ge:Ga Hyperdoped Materials and Devices Using CMOS-Compatible Ga and Ge Hydride Chemistries.
    Xu, C ; Wallace, PM ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces, Jg. 10 (2018-10-31), Heft 43, S. 37198-37206
    academicJournal
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    CMOS-Compatible Antimony-Doped Germanium Epilayers for Mid-Infrared Low-Loss High-Plasma-Frequency Plasmonics.
    Chong, H ; Xu, Z ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces, Jg. 11 (2019-05-29), Heft 21, S. 19647-19653
    academicJournal
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    Gigahertz Field-Effect Transistors with CMOS-Compatible Transfer-Free Graphene.
    Yeh, CH ; Teng, PY ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces, Jg. 11 (2019-02-13), Heft 6, S. 6336-6343
    academicJournal
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    Precise Side-Chain Engineering of Thienylenevinylene-Benzotriazole-Based Conjugated Polymers with Coplanar Backbone for Organic Field Effect Transistors and CMOS-like Inverters.
    Lee, MH ; Kim, J ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces, Jg. 9 (2017-01-25), Heft 3, S. 2758-2766
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Coupling Two-Dimensional MoTe <subscript>2</subscript> and InGaZnO Thin-Film Materials for Hybrid PN Junction and CMOS Inverters.
    Lee, HS ; Choi, K ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces, Jg. 9 (2017-05-10), Heft 18, S. 15592-15598
    academicJournal
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    Design of a Nanoscale, CMOS-Integrable, Thermal-Guiding Structure for Boolean-Logic and Neuromorphic Computation.
    Loke, D ; Skelton, JM ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces, Jg. 8 (2016-12-21), Heft 50, S. 34530-34536
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Structural Mapping of Functional Ge Layers Grown on Graded SiGe Buffers for sub-10 nm CMOS Applications Using Advanced X-ray Nanodiffraction.
    Richard, MI ; Zoellner, MH ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces, Jg. 7 (2015-12-09), Heft 48, S. 26696-700
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Imaging Structure and Composition Homogeneity of 300 mm SiGe Virtual Substrates for Advanced CMOS Applications by Scanning X-ray Diffraction Microscopy.
    Zoellner, MH ; Richard, MI ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces, Jg. 7 (2015-05-06), Heft 17, S. 9031-7
    academicJournal
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    Label-free and rapid electrical detection of hTSH with CMOS-compatible silicon nanowire transistor arrays.
    Lu, N ; Dai, P ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces, Jg. 6 (2014-11-26), Heft 22, S. 20378-84
    academicJournal
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