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    A novel nanometer CMOS interconnect optimal model with target delay and bandwidth constraint
    Zhang-Ming, Z. ; Bao-Tian, H. ; et al.
    In: ACTA PHYSICA SINICA -CHINESE EDITION-, Jg. 59 (2010), Heft 3, S. 1997-2003
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    A novel interconnect crosstalk RLC analytic model based on the nanometer CMOS technology
    Zhang-Ming, Z. ; Li-Bo, Q. ; et al.
    In: ACTA PHYSICA SINICA -CHINESE EDITION-, Jg. 58 (2009), Heft 4, S. 2636-2642
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    7340Q Process-induced mechanical stress effects on deep submicron CMOS device
    Rui, L. ; Qing-Dong, W.
    In: ACTA PHYSICA SINICA -CHINESE EDITION-, Jg. 57 (2008), Heft 7, S. 4507-4510
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    A comparison of ionizing radiation damage in CMOS devices from ^6^0Co Gamma rays, electrons and protons
    Bao-Ping, H. ; Wei, C. ; et al.
    In: ACTA PHYSICA SINICA -CHINESE EDITION-, Jg. 55 (2006), Heft 7, S. 3551-3556
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Substrate and process dependence of gate oxide reliability of 0.18mum dual gate CMOS process
    Yi, Z. ; Xing-Gong, W.
    In: ACTA PHYSICA SINICA -CHINESE EDITION-, Jg. 55 (2006), Heft 6, S. 3006-3011
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    0250 Study of Relative Dose-Enhancement Effects on CMOS Device Irradiated by Steady-State and Transient Pulsed X-rays
    Hong-xia, G. ; Yu-sheng, C. ; et al.
    In: ACTA PHYSICA SINICA -CHINESE EDITION-, Jg. 50 (2001), Heft 12, S. 2279-2283
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Research on dark signal degradation in ^6^0Co gamma -ray-irradiated CMOS active pixel sensor
    Bo, W. ; Yu-Dong, L. ; et al.
    In: ACTA PHYSICA SINICA -CHINESE EDITION-, Jg. 63 (2014), Heft 5, S. 056102-56102
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    NPN bipolar effect and its influence on charge sharing in a tripe well CMOS technology with n^+ deep well
    Bi-Wei, L. ; Jian-Jun, C. ; et al.
    In: ACTA PHYSICA SINICA -CHINESE EDITION-, Jg. 61 (2012), Heft 9, S. 096102-96102
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Effect of doping concentration in p^+ deep well on charge sharing in 90nm CMOS technology
    Fan-Yu, L. ; Heng-Zhu, L. ; et al.
    In: ACTA PHYSICA SINICA -CHINESE EDITION-, Jg. 60 (2011), Heft 4, S. 046106-46106
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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