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    Large‐Scale N‐Type FET and Homogeneous CMOS Inverter Array Based on Few‐Layer MoTe2
    Cheng, Zhixuan ; Jia, Xionghui ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 9 (2023-10-01), Heft 10
    Online academicJournal
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    Design on Formation of Nickel Silicide by a Low‐Temperature Pulsed Laser Annealing Method to Reduce Contact Resistance for CMOS Inverter and 6T‐SRAM on a Wafer‐Scale Flexible Substrate
    Hsu, Yu‐Chieh ; Chen, Yan‐Yu ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 9 (2023-12-01), Heft 12
    Online academicJournal
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    CMOS AlN and ScAlN Pyroelectric Detectors with Optical Enhancement for Detection of CO2 and CH4 Gases
    Doris Keh Ting Ng ; Xu, Linfang ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 9 (2023-08-01), Heft 8
    Online academicJournal
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    A Memristive Cell with Long Retention Time in 65 nm CMOS Technology
    Assaf, Hussein ; Savaria, Yvon ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 9 (2023-06-01), Heft 6
    Online academicJournal
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    Multi‐Operating Mode Field‐Effect Transistors Based on SnO/SnS Heterostructures and CMOS‐Like Inverter Applications
    Zhang, Tao ; Liu, Yunze ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 9 (2023-05-01), Heft 5
    Online academicJournal
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    The Significance of an In Situ ALD Al2O3 Stacked Structure for p‐Type SnO TFT Performance and Monolithic All‐ALD‐Channel CMOS Inverter Applications
    Kim, Hye‐Mi ; Choi, Su‐Hwan ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 9 (2023-04-01), Heft 4
    Online academicJournal
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    Back‐End‐of‐Line Integration of Synaptic Weights using HfO2/ZrO2 Nanolaminates
    Bégon‐Lours, Laura ; Slesazeck, Stefan ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 10 (2024-05-01), Heft 5
    Online academicJournal
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    A Wearable Bracelet for Simultaneous Monitoring of Transcutaneous Carbon Dioxide and Pulse Rates
    Cui, Yaoxuan ; Cao, Qingpeng ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 10 (2024-05-01), Heft 5
    Online academicJournal
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    BLAST: A Wafer‐Scale Transfer Process for Heterogeneous Integration of Optics and Electronics
    Ji, Yanxin ; Cortese, Alejandro J. ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 9 (2023-12-01), Heft 12
    Online academicJournal
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    Complementary Inverter Based on n‐Type and p‐Type OFETs with the Same Ambipolar Organic Semiconductor and ITO S/D Electrodes
    Han, Jiangli ; Rong, Xin ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 9 (2023-05-01), Heft 5
    Online academicJournal
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    Analog HfxZr1‐xO2 Memristors with Tunable Linearity for Implementation in a Self‐Organizing Map Neural Network
    Zhu, Quanzhou ; Jiang, Biyi ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 10 (2024-04-01), Heft 4
    Online academicJournal
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    Structural Engineering of H0.5Z0.5O2‐Based Ferroelectric Tunneling Junction for Fast‐Speed and Low‐Power Artificial Synapses
    Cao, Yuanyuan ; Liu, Yilun ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 9 (2023-05-01), Heft 5
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Scandium Nitride as a Gateway III‐Nitride Semiconductor for both Excitatory and Inhibitory Optoelectronic Artificial Synaptic Devices
    Rao, Dheemahi ; Ashalatha Indiradevi Kamalasanan Pillai ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 9 (2023-03-01), Heft 3
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Photomultiplication Enabling High‐Performance Narrowband Near‐Infrared Organic Photodetectors
    Louis Conrad Winkler ; Kublitski, Jonas ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 9 (2023-09-01), Heft 9
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Field‐Induced Ferroelectric Phase Evolution During Polarization 'Wake‐Up' in Hf0.5Zr0.5O2 Thin Film Capacitors
    Saini, Balreen ; Huang, Fei ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 9 (2023-06-01), Heft 6
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Unlocking AlN Piezoelectric Performance with Earth‐Abundant Dopants
    Startt, Jacob ; Quazi, Mohammed ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 9 (2023-04-01), Heft 4
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Effects of Oxygen Plasma Treatment on Fermi‐Level Pinning and Tunneling at the Metal–Semiconductor Interface of WSe2 FETs
    Lee, Kwangro ; Tien Dat Ngo ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 9 (2023-03-01), Heft 3
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Emulating Nociceptive Receptor and LIF Neuron Behavior via ZrOx‐based Threshold Switching Memristor
    Yang, Jia‐He ; Mao, Shi‐Cheng ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 9 (2023-03-01), Heft 3
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Essential Characteristics of Memristors for Neuromorphic Computing
    Chen, Wenbin ; Song, Lekai ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 9 (2023-02-01), Heft 2
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Scalable Al2O3–TiO2 Conductive Oxide Interfaces as Defect Reservoirs for Resistive Switching Devices
    Li, Yang ; Wang, Wei ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 9 (2023-02-01), Heft 2
    Online academicJournal
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