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    New developments in schottky source/drain high-k/metal gate CMOS transistors
    LI, Ming-Fu ; LEE, Sungjoo ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 301-310
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Advanced cmos devices: Part II - exploratory devices and approaches
    WONG, H.-S. Philip
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 13-22
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Si:C epitaxial wafer for improved sub-100nm CMOS transistor performance
    STANDLEY, R ; MANSOORI, M ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 535-541
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Self-aligned PtSi fully silicided (FUSI) metal gates for 45 nm CMOS applications
    VAN DAL, M. J. H ; LAUWERS, A ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 233-240
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Metal wet-etch process development for dual metal gate CMOS using standard industry tools
    HUSSAIN, Muhammad Mustafa ; MOUMEN, Naim ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 188-197
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Improving cmos performance by AVD® grown high-k dielectrics and advanced metal electrodes
    WEBER, U ; BOISSIERE, O ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 293-300
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Advanced CMOS devices: Part I conventional devices and technology options
    WONG, H.-S. Philip
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 3-12
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Tantalum-based gate electrode metals for advanced CMOS devices
    HOOKER, J. C ; LANDER, R. J. P ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 215-224
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Strained CMOS technology with Ge
    CHEN, P. S ; LEE, M. H ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 487-496
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    New materials, processes and device structures for 65nm cmos technology node and beyond
    NGUYEN, B.-Y ; THEAN, A ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 259-273
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Materials issues of Ni fully silicided (FUSI) gates for CMOS applications
    KITTL, J. A ; LAUWERS, A ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 225-232
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Pulsed excimer laser annealing for meeting near-term gate-stack process challenges
    HIU YUNG, WONG ; TAKEUCHI, Hideki ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 179-187
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Novel dual metal gate technology using Mo-MOSIx for advanced MOS device applications
    LI, Tzung-Lin ; HO, Wu-Lin ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 383-388
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Device study of source/drain extension and halo formation using a single-wafer, high-current implanter
    FELCH, S. B ; FOAD, M. A ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 83-90
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Thermal processing and mobility in strained heterostructures on insulator
    ABERG, Ingvar ; NI CHLEIRIGH, Cait ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 505-514
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The reaction of Ni with Si-Ge : An overview and some new considerations
    ZHANG, S.-L
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 597-611
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Strain effects on transient enhanced diffusion and deactivation of arsenic implanted in silicon
    DILLIWAY, G. D. M ; SMITH, A. J ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 497-504
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Silicon nitride material engineering for ultra-shallow junction formation
    GUMPHER, John ; MEHTA, Narendra ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 91-98
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    High-k dielectric growth on germanium by atomic layer deposition
    RAHTU, Antti ; RALLI, Kirsi ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 476-483
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    High spatial resolution mapping of strain induced by the geometry configuration in nanoscaled devices
    TOH, S. L ; LOH, K. P ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 562-568
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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