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    Application of high-K dielectrics in CMOS technology and emerging new technology
    LIU, Rich ; WU, Tai-Bor
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 207-216
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Atomic vapour deposition of complex high-K thin films for sub-90 NM CMOS devices
    LINDNER, J ; MIEDL, S ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 459-464
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ultrathin plasma nitrided oxide gate dielectrics for sub-100 nm generation CMOS technology
    JEON, Joong ; YEH, Ping ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 287-292
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Poly-Si gate CMOS with hafnium silicate gate dielectric
    HOBBS, Christopher ; GRANT, John ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 361-366
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Ni-based silicides: Material issues for advanced CMOS applications
    KITTL, Jorge A ; LAUWERS, Anne ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 177-182
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Evaluation of CMOS gate metal materials using in situ characterization techniques
    CABRAL, C ; LAVOIE, C ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 375-384
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Design of experiment on the CO salicide process: Impact of thickness and anneals on main CMOS parameters
    WACQUANT, F ; REGNIER, C ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 191-196
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The role of fluorine with GE pre-amorphization in forming PMOS junctions for the 65-NM CMOS technology node
    PAWLAK, B. J ; LINDSAY, R ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 99-104
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Rapid thermal process atomic layer deposition of high dielectric constant ultrathin ZrO2 for sub 65nm silicon CMOS technology
    FAKHRUDDIN, M ; SINGH, R ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 281-285
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Ultra-shallow junction formation by gas immersion laser doping (GILD) on silicon bulk and SOI substrate
    HERNANDEZ, M ; SARNET, T ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 145-151
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Laser thermal processing for ultra-shallow junction formation: Experiment and modelling
    VENTURINI, J ; HERNANDEZ, M ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 131-136
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Time-resolved analysis of flash-assist RTP thermal pulse progression in SOI and bulk silicon wafers
    ELLION, Kiefer ; MCCOY, S ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 17-24
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Silicide scaling: Co, Ni or CoNi?
    LAUWERS, A ; KITTL, J. A ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 167-176
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Performance of nitrided Hf-silicate high-K gate dielectrics
    JEON, Joong ; QI, XIANG ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 451-457
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    MOSFET channel engineering using strained silicon, silicon-germanium, and germanium channels
    FITZGERALD, E. A ; LEE, M. L ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 315-324
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Effect of starting surface in atomic layer deposition
    HAUKKA, Suvi ; TUOMINEN, Marko ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 405-416
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Development of 12 Å plasma nitrided gate dielectrics through characterization of process, physical and electrical parameters
    MINER, Gary ; KRAUS, Philip ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 251-264
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Charges in HFO2 ALD gate dielectrics
    BERSUKER, G ; ZEITZOFF, P. M ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 417-422
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Ultra-shallow junction formation: Current manufacturability issues and future prospects
    HEBB, Jeffrey ; AGARWAL, Aditya ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 83-92
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ultra-shallow implant anneal using a short wavelength flash light source
    WOO SIK, YOO ; KITAEK, KANG
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 111-116
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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