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    Application of direct-tunneling gate oxides to high-performance CMOS
    MOMOSE, H. S ; NAKAMURA, S.-I ; et al.
    In: Advances in submicron MOS devices and technology, Jg. 38 (1998), Heft 9, S. 1413-1423
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Plasma doping for ultra-shallow junctions
    CHUNG, CHAN ; SHU, QIN
    In: Advances in submicron MOS devices and technology, Jg. 38 (1998), Heft 9, S. 1485-1488
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Comparison of latchup immunity for silicided source/drain at different n+ implant energy
    LEONG, K.-C ; LIU, P.-C ; et al.
    In: Advances in submicron MOS devices and technology, Jg. 38 (1998), Heft 9, S. 1401-1405
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -