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    Experimental study of light output power for vertical GaN-based light-emitting diodes with various textured surface and thickness of GaN layer
    Hyun Soo Lim ; Hyun Kyong Cho ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 2 (2012-06-01), Heft 2, S. 022127-22127
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Light extraction improvement of InGaN light-emitting diodes with large-area highly ordered ITO nanobowls photonic crystal via self-assembled nanosphere lithography
    Wang, Junxi ; Zheng, Haiyang ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 3 (2013-09-01), S. 092124-92124
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Optimal width of quantum well for reversed polarization blue InGaN light-emitting diodes
    Yi, Xiaoyan ; Li, Hongjian ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 3 (2013-07-01), S. 072121-72121
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -