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    Konferenz
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    A new advanced numerical modeling of neutron irradiated n-type MCz PAD Si sensor for HL-LHC
    Sharma, Sonam ; Srivastava, Ajay K.
    In: AIP conference proceedings, Jg. 2050 (2018)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    A comparison between rad-hard Standard Float Zone (FZ) and Magnetic Czochralski (MCz) silicon diodes in radiotherapy electron beams dosimetry
    dos Santos, T.C. ; Goncalves, J.A.C. ; et al.
    In: AIP CONFERENCE PROCEEDINGS, Jg. 1351 (2011), S. 228-232
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    A new advanced numerical modeling of neutron irradiated n-type MCz PAD Si sensor for HL-LHC
    Srivastava, Ajay K. ; Sharma, Sonam
    In: AIP Conference Proceedings, 2018
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    21.4% efficient SMART mono-Si PERC solar cells with adapted firing process for LeTID mitigation.
    Maischner, Felix ; Maus, Stephan ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 2487 (2022-08-24), Heft 1, S. 1-5
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Radiation Damage Study on the Electrical Properties of Si Diodes.
    Pascoalino, Kelly C. S. ; Gonçalves, Josemary A. C. ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1351 (2011-08-10), Heft 1, S. 345-348
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Radiation Damage Study on the Electrical Properties of Si Diodes
    Pascoalino, Kelly C. S. ; Gonçalves, Josemary A. C. ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, 2011
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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