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    Ferroelectric transistors with monolayer molybdenum disulfide and ultra-thin aluminum-doped hafnium oxide.
    Wui Chung Yap ; Liu, Jialun ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 111 (2017-07-03), Heft 1, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Wurtzite phonons and the mobility of a GaN/AlN 2D hole gas.
    Bader, Samuel James ; Chaudhuri, Reet ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 114 (2019-06-24), Heft 25, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Gamma-rays irradiation: An effective method for improving light emission stability of porous....
    Fu, J.S. ; Mao, J.C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 63 (1993-09-27), Heft 13, S. 1830-1832
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -