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    High performance and high yield sub-240 nm AlN:GaN short period superlattice LEDs grown by MBE on 6 in. sapphire substrates
    Nicholls, Jordan ; Anderson, Liam ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 123 (2023), Heft 5
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    Temperature-dependent thermal conductivity of MBE-grown epitaxial SrSnO3 films
    Zhang, Chi ; Liu, Fengdeng ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 123 (2023), Heft 4
    Online serialPeriodical
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    Epitaxial GaSb films directly grown on on-axis Si(001) with low defect density by MBE
    Han, Dong ; Wei, Wen-Qi ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 122 (2023), Heft 16
    Online serialPeriodical
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    MBE-grown Fe:Pd/ZnSe Schottky-barrier photodetector: Distinguishing blue + UV light levels among white light sources
    Lin, Shek-Ying ; He, Zhihao ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 122 (2023), Heft 6
    Online serialPeriodical
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    Role of defects in ultra-high gain in fast planar tin gallium oxide UV-C photodetector by MBE
    Mukhopadhyay, Partha ; Hatipoglu, Isa ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 121 (2022), Heft 11
    Online serialPeriodical
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    Bulk-like magnetic properties in MBE-grown unstrained, antiferromagnetic CuMnSb
    Scheffler, L. ; Werther, J. ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 121 (2022), Heft 1
    Online serialPeriodical
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    MBE growth and donor doping of coherent ultrawide bandgap AlGaN alloy layers on single-crystal AlN substrates
    Lee, Kevin ; Page, Ryan ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 118 (2021), Heft 9
    Online serialPeriodical
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    Near-infrared stimulated emission from indium-rich InGaN layers grown by plasma-assisted MBE
    Lobanov, D. N. ; Kudryavtsev, K. E. ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 118 (2021), Heft 15
    Online serialPeriodical
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    Offcut-related step-flow and growth rate enhancement during (100) β-Ga2O3 homoepitaxy by metal-exchange catalyzed molecular beam epitaxy (MEXCAT-MBE)
    Mazzolini, Piero ; Falkenstein, Andreas ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 117 (2020), Heft 22
    Online serialPeriodical
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    Surface control and MBE growth diagram for homoepitaxy on single-crystal AlN substrates
    Lee, Kevin ; Cho, Yong ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 116 (2020), Heft 26
    Online serialPeriodical
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    Thickness-dependent electronic transport induced by in situ transformation of point defects in MBE-grown Bi2Te3 thin films
    Zhang, Min ; Liu, Wei ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 117 (2020), Heft 15
    Online serialPeriodical
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    Evidence for trap-assisted Auger recombination in MBE grown InGaN quantum wells by electron emission spectroscopy
    Myers, Daniel J. ; Espenlaub, Andrew C. ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 116 (2020), Heft 9
    Online serialPeriodical
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    MBE growth strategy and optimization of GaAsBi quantum well light emitting structure beyond 1.2 μm
    Pan, Wenwu ; Wang, Lijuan ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 114 (2019), Heft 15
    Online serialPeriodical
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    Mechanism of Si doping in plasma assisted MBE growth of β-Ga2O3
    Kalarickal, Nidhin Kurian ; Xia, Zhanbo ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 115 (2019), Heft 15
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    Band offset and electron affinity of MBE-grown SnSe2
    Zhang, Qin ; Li, Mingda (Oscar) ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 112 (2018), Heft 4
    Online serialPeriodical
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    Thickness-dependent transition of the valence band shape from parabolic to Mexican-hat-like in the MBE grown InSe ultrathin films
    Kibirev, I. A. ; Matetskiy, A. V. ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 112 (2018), Heft 19
    Online serialPeriodical
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    Electrical properties of surface and interface layers of the N- and In-polar undoped and Mg-doped InN layers grown by PA MBE
    Komissarova, T. A. ; Kampert, E. ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 112 (2018), Heft 2
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    Deep-UV emission at 219 nm from ultrathin MBE GaN/AlN quantum heterostructures
    Islam, S. M. ; Protasenko, Vladimir ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 111 (2017), Heft 9
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    Magnetoresistance oscillations in MBE-grown Sb2Te3 thin films
    Weyrich, C. ; Merzenich, T. ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 110 (2017), Heft 9
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    MBE-grown 232–270 nm deep-UV LEDs using monolayer thin binary GaN/AlN quantum heterostructures
    Islam, S. M. ; Lee, Kevin ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 110 (2017), Heft 4
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