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    Upconversion luminescence of Er[sup 3+] in CdX[sub 2] system glasses (X=CI, Br, I).
    Shojiya, Masanori ; Takahashi, Masahide
    In: Applied Physics Letters, Jg. 67 (1995-10-23), Heft 17, S. 2453-2455
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    Hg-implanted Hg1-x Cdx Te infrared photovoltaic detectors in the 8- to 14-μm range.
    Fiorito, G. ; Gasparrini, G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 23 (1973-10-15), Heft 8, S. 448-449
    Online academicJournal
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    Reconversion of the CdHgTe conductivity type after plasma etching process at low temperature.
    Gorshkov, D. V. ; Sidorov, G. Yu. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 116 (2020-02-24), Heft 8, S. 1-3
    Online academicJournal
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    Quantum-dot temperature profiles during laser irradiation for semiconductor-doped glasses.
    Nagpal, Swati
    In: Applied Physics Letters, Jg. 81 (2002-12-16), Heft 25, S. 4760-4762
    Online academicJournal
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    Ionized cluster beam deposition of Hg1-xCdxTe films and their optical properties.
    Takaoka, Gikan H. ; Murakami, Satoshi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 54 (1989-06-19), Heft 25, S. 2550-2552
    Online academicJournal
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    Fast and slow surface electrons in HgCdTe.
    Emtage, P. R. ; Temofonte, T. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 54 (1989-05-15), Heft 20, S. 2015-2017
    Online academicJournal
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    Exciton line broadening in CdxZn1-xTe/ZnTe multiple quantum wells.
    Stanley, R. P. ; Hegarty, J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 53 (1988-10-10), Heft 15, S. 1417-1419
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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