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    Visible photoluminescence in amorphous SiNx thin films prepared by reactive evaporation
    Molinari, M. ; Rinnert, Hervé ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 77 (2000-11-27), S. 3499-3501
    Online unknown
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    Intense visible photoluminescence in amorphous SiOx and SiOx:H films prepared by evaporation
    Rinnert, Hervé ; Marchal, G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 72 (1998-06-15), S. 3157-3159
    Online unknown
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    Role of pinning in current driven domain wall motion in wires with perpendicular anisotropy
    Katine, Jordan A. ; Burrowes, C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 93 (2008-10-27), S. 172513-172513
    Online unknown
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    Optical characterization of a strained silicon quantum well on SiGe on insulator
    Bremond, Georges ; Munguía, J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-09-17), S. 122108-122108
    Online unknown
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    Threshold currents to move domain walls in films with perpendicular anisotropy
    Katine, Jordan A. ; Ravelosona, Dafiné ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-02-12), S. 072508-72508
    Online unknown
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Luminescence efficiency at 1.5μm of Er-doped thick SiO layers and Er-doped SiO∕SiO2 multilayers
    Jambois, Olivier ; G. Wora Adeola ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-09-04), S. 101920-101920
    Online unknown
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    Microphotoluminescence of exciton and biexciton around 1.5μm from a single InAs∕InP(001) quantum dot
    Bru-Chevallier, Catherine ; Patriarche, Gilles ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 88 (2006-03-27), S. 133101-133101
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Few electrons injection in silicon nanocrystals probed by ultrahigh vacuum atomic force microscopy
    Decossas, Sébastien ; Gidon, S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 86 (2005-01-17), S. 033109-33109
    Online unknown
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