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    Freestanding ultrathin single-crystalline SiC substrate by MeV H ion-slicing
    Yi, Ailun ; Ou, Xin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018-05-07), S. 192102-192102
    Online unknown
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    Imaging nanoscale spatial modulation of a relativistic electron beam with a MeV ultrafast electron microscope
    Yu, Dapeng ; Wan, Weishi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018-03-12), S. 113102-113102
    Online unknown
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    Graphene-enhanced gallium nitride ultraviolet photodetectors under 2 MeV proton irradiation
    So, Hongyun ; Wang, Yongqiang ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 111 (2017-12-11), S. 241902-241902
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Anomalous threshold voltage change by 2 MeV electron irradiation at 100 °C in deep submicron metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
    Joan Marc Rafi ; Claeys, C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 84 (2004-04-19), S. 3088-3090
    Online unknown
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    450 meV hole localization in GaSb/GaAs quantum dots
    Müller-Kirsch, L. ; Heitz, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 82 (2003-04-21), S. 2706-2708
    Online unknown
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    Energy-dependent anisotropic deformation of colloidal silica particles under MeV Au irradiation
    Polman, Albert ; A. van Blaaderen ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 78 (2001-02-12), S. 910-912
    Online unknown
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    Narrow photoluminescence linewidth (<17 meV) from highly uniform self-assembled InAs/GaAs quantum dots grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition
    Yang, Tao ; Tsukamoto, Shiro ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 84 (2004-04-12), S. 2817-2819
    Online unknown
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    Mechanism for the reduction of interstitial supersaturations in MeV-implanted silicon
    Gossmann, H.-J. ; Agarwal, Aditya ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 74 (1999-03-01), S. 1299-1301
    Online unknown
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    Ultrafast electron diffraction with megahertz MeV electron pulses from a superconducting radio-frequency photoinjector
    Fu, F. ; Wang, Fuzhi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 107 (2015-11-30), S. 224101-224101
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Optical waveguides produced in LiF by MeV ion beam bombardment
    Cremona, Marco ; Pereira, J. A. M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 81 (2002-11-25), S. 4103-4105
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Effect of 3 MeV electron irradiation on the photoluminescence properties of Eu-doped GaN
    Nakanishi, Y. ; Ohshima, Takeshi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 81 (2002-09-09), S. 1943-1945
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Optical waveguides formed in Nd:YVO4 by MeV Si+ implantation
    Chen, Feng ; Lu, Qingming ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 80 (2002-05-13), S. 3473-3475
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Dielectric properties of 1 MeV electron-irradiated polyimide
    Alegaonkar, Prashant S. ; Goyal, P. S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 80 (2002-01-28), S. 640-642
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Electrical characterization of 1.8 MeV proton-bombarded ZnO
    Hayes, M. ; Legodi, M.J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 79 (2001-11-05), S. 3074-3076
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Effect of annealing time and temperature on the formation of threading and projected range dislocations in 1 MeV boron implanted Si
    Jones, Kevin S. ; Hoover, Allen ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 78 (2001-03-19), S. 1664-1666
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    MeV ion-induced suppression of resonance current in InP-based resonant tunneling diodes
    P. van der Wagt ; Weaver, B. D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 76 (2000-05-01), S. 2562-2564
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Fine crystal lattice fringes observed using a transmission electron microscope with 1 MeV coherent electron waves
    Kawasaki, Takeshi ; Osakabe, Nobuyuki ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 76 (2000-03-06), S. 1342-1344
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Use of x-ray microbeams for cross-section depth profiling of MeV ion-implantation-induced defect clusters in Si
    Yoon, Mirang ; Larson, Bennett C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 75 (1999-11-01), S. 2791-2793
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A narrow photoluminescence linewidth of 21 meV at 1.35 μm from strain-reduced InAs quantum dots covered by In0.2Ga0.8As grown on GaAs substrates
    Saito, Hideaki ; Lee, Jeong-Sik ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 74 (1999-02-22), S. 1111-1113
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Effect of ion mass on the evolution of extended defects during annealing of MeV ion-implanted p-type Si
    J. D. Fitz Gerald ; Fatima, S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 74 (1999-02-22), S. 1141-1143
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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