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    The role of surface diffusion and wing tilt in the formation of localized stacking faults in high In-content InGaN MQW nanostructures
    P. Daniel Dapkus ; Nakajima, Yoshitake
    In: Applied Physics Letters, Jg. 109 (2016-08-22), S. 083101-83101
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    Positive temperature coefficient of photovoltaic efficiency in solar cells based on InGaN/GaN MQWs
    Yang, Xuelin ; Ge, Weikun ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 109 (2016-08-08), S. 062104-62104
    Online unknown
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    Low-threshold strain-compensated InGaAs/(In,Al)GaAs multi-quantum well nanowire lasers emitting near 1.3 μm at room temperature
    Thurn, Andreas ; Koblmüller, Gregor ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 118 (2021-05-31), S. 221103-221103
    Online unknown
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    Color-tunable <10 μm square InGaN micro-LEDs on compliant GaN-on-porous-GaN pseudo-substrates
    Ley, Ryan ; Keller, Stacia ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-08-10), S. 061105-61105
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    Device quality templates of InxGa1−xN (x < 0.1) with defect densities comparable to GaN
    El-Masry, Nadia A. ; Routh, Evyn L. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-08-03), S. 052103-52103
    Online unknown
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    Controlled bunching approach for achieving high efficiency active region in AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting devices with dual-band emission
    Sun, Yuanhao ; Shen, Bo ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 116 (2020-05-26), S. 212102-212102
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    Direct observation of charge accumulation in quantum well solar cells by cross-sectional Kelvin probe force microscopy
    Fujita, Daisuke ; Ishida, Nobuyuki ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 116 (2020-04-20), S. 163501-163501
    Online unknown
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    Efficient charge separation at multiple quantum well perovskite/PCBM interface
    Wang, Jianpu ; Wang, Nana ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-07-23), S. 041103-41103
    Online unknown
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    Energy band engineering of InGaN/GaN multi-quantum-well solar cells via AlGaN electron- and hole-blocking layers
    Yang, Tsung-Han ; Fu, Kai ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-07-23), S. 043501-43501
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Single junction solar cell employing strain compensated GaAs0.965Bi0.035/GaAs0.75P0.25 multiple quantum wells grown by metal organic vapor phase epitaxy
    Guan, Yingxin ; Kim, Honghyuk ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018-06-18), S. 251105-251105
    Online unknown
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    Integrating AlInN interlayers into InGaN/GaN multiple quantum wells for enhanced green emission
    Syed Ahmed Al Muyeed ; Song, Renbo ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018-05-14), S. 201106-201106
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Trade-off between bandwidth and efficiency in semipolar (202¯1¯) InGaN/GaN single- and multiple-quantum-well light-emitting diodes
    Sang Hyun Oh ; Aragon, Andrew ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018-05-07), S. 191102-191102
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Propagation of THz acoustic wave packets in GaN at room temperature
    Stokes, Donna W. ; Maznev, Alexei ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018-02-05), S. 061903-61903
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Structural and optical properties of semi-polar (11-22) InGaN/GaN green light-emitting diode structure
    Meng, Yulin ; Wang, Lianshan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018-01-29), S. 052105-52105
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    Transferrable monolithic III-nitride photonic circuit for multifunctional optoelectronics
    Wang, Yongjin ; Zhang, Shuai ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 111 (2017-12-11), S. 241104-241104
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Significant increase of quantum efficiency of green InGaN quantum well by realizing step-flow growth
    Ikeda, Masao ; Yang, Hui ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 111 (2017-09-11), S. 112102-112102
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    Optical gain from vertical Ge-on-Si resonant-cavity light emitting diodes with dual active regions
    Chen, Songyan ; Li, Cheng ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 111 (2017-09-11), S. 111106-111106
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    1550-nm InGaAsP multi-quantum-well structures selectively grown on v-groove-patterned SOI substrates
    Bonef, Bastien ; Klamkin, Jonathan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 111 (2017-07-17), S. 032105-32105
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Changes in electron and hole traps in GaN-based light emitting diodes from near-UV to green spectral ranges
    Jong Hyeob Baek ; In Hwan Lee ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 110 (2017-05-08), S. 192107-192107
    Online unknown
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    GaN-based light emitting diodes using p-type trench structure for improving internal quantum efficiency
    Jang Hyun Kim ; Kim, Garam ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 110 (2017-01-09), S. 021115-21115
    Online unknown
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