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    Erratum: 'A flexible optically re-writable color liquid crystal display' [Appl. Phys. Lett. 112, 131902 (2018)]
    Sun, Jiatong ; Zhang, Yihong ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-07-09), S. 029903-29903
    Online unknown
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    Deep-ultraviolet light emission from 4H-AlN/4H-GaN short-period superlattice grown on 4H-SiC(112¯0)
    Suda, Jun ; Kaneko, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018), S. 012106-12106
    Online unknown
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    Molecular‐beam epitaxial growth of CdTe(112) on Si(112) substrates
    T. J. de Lyon ; Rajavel, D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 66 (1995-04-17), S. 2119-2121
    Online unknown
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    Markedly distinct growth characteristics of semipolar (112¯2) and (1¯1¯22¯) InGaN epitaxial layers
    Kawakami, Yoichi ; Funato, Mitsuru ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 106 (2015-02-23), S. 082105-82105
    Online unknown
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    HgCdTe and CdTe(1̄ 1̄ 3̄)B growth on Si(112)5° off by molecular beam epitaxy
    Nagashima, M. ; Ajisawa, A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 69 (1996-11-04), S. 2876-2878
    Online unknown
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    Temporally and spatially resolved photoluminescence investigation of (112¯2) semi-polar InGaN/GaN multiple quantum wells grown on nanorod templates
    Bai, Jie ; Wang, Tao ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-12-29), S. 261103-261103
    Online unknown
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    Hydrogen sensing characteristics of semipolar (112¯2) GaN Schottky diodes
    Ren, Fan ; Jang, Soohwan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-02-17), S. 072103-72103
    Online unknown
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    Second‐harmonic generation of blue light from [112]‐oriented III‐V antiresonant waveguide heterostructures
    Towe, E. ; Ramos, P. A.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 68 (1996-03-25), S. 1754-1756
    Online unknown
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    Blue and aquamarine stress-relaxed semipolar (112¯2) laser diodes
    Fujito, Kenji ; Nakamura, Shuji ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 103 (2013-10-14), S. 161117-161117
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Investigation of carrier transport properties in semipolar (112¯2) GaN films with low defect density
    Kim, Jihyun ; Doo Soo Kim ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 103 (2013-10-14), S. 162103-162103
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Surface‐emitted blue light from [112]‐oriented (In,Ga)As/GaAs quantum well edge‐emitting lasers
    Towe, E. ; Ramos, P. A.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 69 (1996-11-25), S. 3321-3323
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Polarization matching design of InGaN-based semi-polar quantum wells—A case study of (112¯2) orientation
    Schulz, Stefan ; Corbett, Brian ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-02-03), S. 051128-51128
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Silver induced faceting of Si(112)
    M. Horn-von Hoegen ; F.-J. Meyer zu Heringdorf ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010-07-26), S. 041905-41905
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Performance and polarization effects in (112¯2) long wavelength light emitting diodes grown on stress relaxed InGaN buffer layers
    Koslow, Ingrid ; Wu, Feng ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 101 (2012-09-17), S. 121106-121106
    Online unknown
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    Nonpolar m-plane GaN on patterned Si(112) substrates by metalorganic chemical vapor deposition
    Ni, Xianfeng ; Li, Xing ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 95 (2009-09-14), S. 111102-111102
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Improved semipolar (112¯2) GaN quality using asymmetric lateral epitaxy
    Nemoz, M. ; Nataf, Gilles ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 94 (2009-05-11), S. 191903-191903
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    444.9 nm semipolar (112¯2) laser diode grown on an intentionally stress relaxed InGaN waveguiding layer
    Po Shan Hsu ; Feezell, Daniel F. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 100 (2012-01-09), S. 021104-21104
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Anisotropic structural and optical properties of a-plane (112¯0) AlInN nearly-lattice-matched to GaN
    Hatui, Nirupam ; Gokhale, M. R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 98 (2011-05-02), S. 181108-181108
    Online unknown
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    Stress-induced band gap tuning in ⟨112⟩ silicon nanowires
    Zhang, Ruiqin ; Lee, Shuit-Tong ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-12-24), S. 263107-263107
    Online unknown
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    Efficient green emission from (112¯2) InGaN∕GaN quantum wells on GaN microfacets probed by scanning near field optical microscopy
    Nishizuka, K. ; Funato, Mitsuru ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-06-25), S. 261912-261912
    Online unknown
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