Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
8 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Schlagwort

Sprache

8 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Characterization of InP electron-initiated impact ionization in low electric fields using abrupt junction NpN InP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors
    Lam, S. ; Watkins, S. P. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-12-29), S. 5548-5550
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    InGaP/InGaAsN/GaAs NpN double-heterojunction bipolar transistor
    Hou, H. Q. ; Li, N. Y. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 76 (2000-04-17), S. 2262-2264
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Observation of enhanced transport in carbon-doped InGaAsN after in situ anneal and its impact on performance of NpN InGaP/InGaAsN heterojunction bipolar transistors
    Monier, C. ; Hou, Hong Q. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 81 (2002-09-09), S. 2103-2105
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Franz–Keldysh effect in lateral GaAs/AlGaAs basednpnstructures
    Abstreiter, Gerhard ; Böhm, G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 70 (1997-05-26), S. 2876-2878
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Fermi energy pinning at the surface during growth ofn- andp-type GaAs
    Simons, David S. ; Cohen, R. M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 70 (1997-02-24), S. 1005-1007
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Analysis of cut‐off frequency roll‐off at high currents in SiGe double‐heterojunction bipolar transistors
    Gao, G.B. ; Fan, Z. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 58 (1991-06-24), S. 2951-2953
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Neutral base recombination in InP∕GaAsSb∕InP double-heterostructure bipolar transistors: Suppression of Auger recombination in p+ GaAsSb base layers
    Tao, N. ; Zhang, X. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 86 (2005-06-20), S. 253506-253506
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    THE INTRODUCTION OF CHARGE IN SiO2AND THE INCREASE OF INTERFACE STATES DURING BREAKDOWN OF EMITTER‐BASE JUNCTION OF GATED TRANSISTORS
    Verwey, J. F.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 15 (1969-10-15), S. 270-272
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -