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    Dry-transferred CVD graphene for inverted spin valve devices
    Drögeler, Marc ; Taniguchi, Takashi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 111 (2017-10-09), S. 152402-152402
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Low energy ion implantation and electrochemical separation of diamond films
    MARCHYWKA, M ; PEHRSSON, P. E ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 25, S. 3521-3523
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
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    Ge segregation in SiGe/Si heterostructures and its dependence on deposition technique and growth atmosphere
    GRÜTZMACHER, D. A ; SEDGWICK, T. O ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 18, S. 2531-2533
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Combustion chemical vapor deposition : a novel thin-film deposition technique
    HUNT, A. T ; CARTER, W. B ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 2, S. 266-268
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Heteroepitaxially grown diamond on a c-BN {111} surface
    LONG, WANG ; PIROUZ, P ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 10, S. 1336-1338
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
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    Free-standing single-crystalline chemically vapor deposited diamond films
    TZENG, Y ; WEI, J ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 16, S. 2216-2218
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Homoepitaxial growth of diamond thin films by electron cyclotron-resonance microwave plasma chemical-vapor-deposition apparatus with CO/H2 gaseous source
    KOMORI, M ; MAKI, T ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 6, S. 582-584
    Online academicJournal
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    Formation of compositionally uniform tungsten silicide films using dichlorosilane in a single-wafer reactor
    TELFORD, S. G ; EIZENBERG, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 15, S. 1766-1768
    Online academicJournal
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    Ultraviolet photon induced stimulation of surface reaction during growth of hydrogenated amorphous silicon : estimation of the lifetime of film precursors
    SUZUKI, A ; GAUTAM, GANGULY ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 20, S. 2806-2808
    Online academicJournal
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    Structure of (001) GaAs surfaces during epitaxial growth by organometallic chemical vapor deposition
    KAMIYA, I ; TANAKA, H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 23, S. 3206-3208
    Online academicJournal
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    Scaleable stagnation-flow reactors for uniform materials deposition : application to combustion synthesis of diamond
    MCCARTHY, K. F ; MEEKS, E ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 11, S. 1498-1500
    Online academicJournal
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    Rapid thermal low pressure metalorganic chemical vapor deposition of In0.53Ga0.47As films using tertiarylbutylarsine
    KATZ, A ; FEINGOLD, A ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 19, S. 2679-2681
    Online academicJournal
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    Ozone-induced rapid low temperature oxidation of silicon
    KAZOR, A ; BOYD, I. W
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 18, S. 2517-2519
    Online academicJournal
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    Nucleation and growth of hydrogenated amorphous silicon-carbon alloys : effect of hydrogen dilution in plasma-enhanced chemical vapor deposition
    YIWEI, LU ; ILSIN, AN ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 16, S. 2228-2230
    Online academicJournal
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    New low pressure chemical vapor deposition technique for Ge crystalline thin films
    YAMAMOTO, M ; HANNA, J.-I ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 18, S. 2508-2510
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Model for the vaporization of mixed organometallic compounds in the metalorganic chemical vapor deposition of high temperature superconducting films
    GUANGYAO, MENG ; GANG, ZHOU ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 14, S. 1981-1983
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Low-temperature rapid thermal low pressure metalorganic chemical vapor deposition of Zn-doped InP layers using tertiarybutylphosphine
    KATZ, A ; FEINGOLD, A ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 18, S. 2546-2548
    Online academicJournal
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    Laser-induced fluorescence detection of polycyclic aromatic hydrocarbons in a dc arcjet used for diamond deposition
    RAICHE, G. A ; JEFFRIES, J. B
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 22, S. 3002-3004
    Online academicJournal
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    Improved solid phase epitaxial growth of lithium tantalate thin films on sapphire, using a two-step metalorganic chemical-vapor deposition process
    WERNBERG, A. A ; BRAUNSTEIN, G. H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 19, S. 2649-2651
    Online academicJournal
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    High-resolution electron microscopic study of the interface between diamond film and its substrate
    JIANG, N ; ZHANG, Z ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 3, S. 328-330
    Online academicJournal
    Zugriff:
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