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    Combustion chemical vapor deposition : a novel thin-film deposition technique
    HUNT, A. T ; CARTER, W. B ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 2, S. 266-268
    Online academicJournal
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    Homoepitaxial growth of diamond thin films by electron cyclotron-resonance microwave plasma chemical-vapor-deposition apparatus with CO/H2 gaseous source
    KOMORI, M ; MAKI, T ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 6, S. 582-584
    Online academicJournal
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    Formation of compositionally uniform tungsten silicide films using dichlorosilane in a single-wafer reactor
    TELFORD, S. G ; EIZENBERG, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 15, S. 1766-1768
    Online academicJournal
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    Laser-induced fluorescence detection of polycyclic aromatic hydrocarbons in a dc arcjet used for diamond deposition
    RAICHE, G. A ; JEFFRIES, J. B
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 22, S. 3002-3004
    Online academicJournal
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    Silicon dioxide thin films prepared by chemical vapor deposition from tetrakis (dimethylamino)silane and ozone
    MARUYAMA, T ; SHIRAI, T
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 5, S. 611-613
    Online academicJournal
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    Occurrence of layerlike growth mode in the formation of hydrogenated amorphous silicon film on graphite from SiH3 radicals
    KAWASAKI, M ; KAWAGUCHI, Y
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 24, S. 3099-3101
    Online academicJournal
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    Intermittent ultraviolet irradiation for silicon selective epitaxial growth
    MIYATA, N ; YAMAZAKI, T ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 6, S. 588-590
    Online academicJournal
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    Fabrication of aluminum oxide thin films by a low-pressure metalorganic chemical vapor deposition technique
    KIM, J. S ; MARZOUK, H. A ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 7, S. 681-683
    Online academicJournal
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    Low pressure metalorganic chemical vapor deposition of AIN over sapphire substrates
    ASIF KHAN, M ; KUZNIA, J. N ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 21, S. 2539-2541
    Online academicJournal
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    Device-quality copper using chemical vapor deposition of β-diketonate source precursors in liquid solution
    BO, ZHENG ; EISENBRAUN, E. T ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 18, S. 2175-2177
    Online academicJournal
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    Single-crystalline, epitaxial cubic SiC films grown on (100) Si at 750°C by chemical vapor deposition
    GOLECKI, I ; REIDINGER, F ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 14, S. 1703-1705
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Selective Si epitaxial growth by plasma-enhanced chemical vapor deposition at very low temperature
    BAERT, K ; DESCHEPPER, P ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 4, S. 442-444
    Online academicJournal
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    Organometallic vapor-phase homoepitaxy of gallium arsenide assisted by a downstream hydrogen afterglow plasma in the growth region
    PIHLSTROM, B. G ; SHENG, T. Y ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 25, S. 3144-3146
    Online academicJournal
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    Low-temperature metalorganic chemical vapor deposition of perovskite Pb-ZrxTi1-x)O3 thin films
    PENG, C. H ; DESU, S. B
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 1, S. 16-18
    Online academicJournal
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    In situ diamond growth rate measurement using emission interferometry
    SNAIL, K. A ; MARKS, C. M
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 25, S. 3135-3137
    Online academicJournal
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    Improved InP regreowth properties in metalorganic vapor phase epitaxy by addition of CCI4
    NORDELL, N ; BORGLIND, J
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 1, S. 22-24
    Online academicJournal
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    Electron cyclotron resonance plasma-enhanced filament-assisted diamond growth
    TSAI, W ; REYNOLDS, G. J ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 12, S. 1444-1446
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    Effect of silicon source gas on silicon-germanium chemical vapor deposition kinetics at atmospheric pressure
    KAMINS, T. I ; MEYER, D. J
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 1, S. 90-92
    Online academicJournal
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    Growth of microcrystal silicon by remote plasma chemical vapor deposition
    SUNG CHUL, KIM ; MOON HYUN, JUNG ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 58 (1991), Heft 3, S. 281-283
    Online academicJournal
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    Temperature dependence of Si1-xGex epitaxial growth using very low pressure chemical vapor deposition
    SYUN-MING, JANG ; REIF, R
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 24, S. 3162-3164
    Online academicJournal
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