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    Impact of band to band tunneling in In0.53Ga0.47As tunnel diodes on the deep level transient spectra
    Gupta, S. ; Simoen, E. ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 113 (2018), Heft 23
    Online serialPeriodical
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    Defect evaluation in strain-relaxed Ge0.947Sn0.053 grown on (001) Si
    Gupta, S. ; Shimura, Y. ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 113 (2018), Heft 19
    Online serialPeriodical
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    Carrier scattering induced linewidth broadening in in situ P-doped Ge layers on Si
    Srinivasan, S. A. ; Porret, C. ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 113 (2018), Heft 16
    Online serialPeriodical
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    Effective passivation of silicon surfaces by ultrathin atomic-layer deposited niobium oxide
    Macco, B. ; Bivour, M. ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 112 (2018), Heft 24
    Online serialPeriodical
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    Measurement of a magnonic crystal at millikelvin temperatures
    Kosen, S. ; Morris, R. G. E. ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 112 (2018), Heft 1
    Online serialPeriodical
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    Electrical properties of extended defects in strain relaxed GeSn
    Gupta, Somya ; Simoen, Eddy ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 113 (2018), Heft 2
    Online serialPeriodical
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    Semiconducting SWNTs sorted by polymer wrapping: How pure are they?
    Derenskyi, Vladimir ; Gomulya, Widianta ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 112 (2018), Heft 7
    Online serialPeriodical
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    Hydrogen passivation of poly-Si/SiOx contacts for Si solar cells using Al2O3 studied with deuterium
    Schnabel, Manuel ; van de Loo, Bas W. H. ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 112 (2018), Heft 20
    Online serialPeriodical
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    Surface passivation of n-type doped black silicon by atomic-layer-deposited SiO2/Al2O3 stacks
    van de Loo, B. W. H. ; Ingenito, A. ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 110 (2017), Heft 26
    Online serialPeriodical
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    On the manifestation of phosphorus-vacancy complexes in epitaxial Si:P films
    Dhayalan, Sathish Kumar ; Kujala, Jiri ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 108 (2016), Heft 8
    Online serialPeriodical
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    Anomalous multiplication of Hg0.56Cd0.44Te avalanche photodiodes
    LIU, Y ; FORREST, S. R ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 24, S. 2878-2880
    Online academicJournal
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    Multiple flame deposition of diamond films
    TZENG, Y ; PHILLIPS, R ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 58 (1991), Heft 23, S. 2645-2647
    Online academicJournal
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    Generating femtosecond X-ray pulses using an emittance-spoiling foil in free-electron lasers
    Ding, Y. ; Behrens, C. ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 107 (2015), Heft 19
    Online serialPeriodical
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    Plasma hydrogenation of strain-relaxed SiGe/Si heterostructure for layer transfer
    Chen, P. ; Chu, P. K. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 85 (2004), Heft 21, S. 4944-4946
    Online serialPeriodical
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    Patterning conductive copper by nanotransfer printing
    Felmet, K. ; Loo, Y. L. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 85 (2004), Heft 15, S. 3316-3318
    Online serialPeriodical
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Tensely strained silicon on SiGe produced by strain transfer
    Buca, D. ; Hollander, B. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 85 (2004), Heft 13, S. 2499-2501
    Online serialPeriodical
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    Nanoscale organic transistors that use source/drain electrodes supported by high resolution rubber stamps
    Zaumseil, J. ; Someya, T. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 82 (2003), Heft 5, S. 793-795
    Online serialPeriodical
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Large area, high resolution, dry printing of conducting polymers for organic electronics
    Blanchet, G. B. ; Loo, Y. L. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 82 (2003), Heft 3, S. 463-465
    Online serialPeriodical
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Additive, nanoscale patterning of metal films with a stamp and a surface chemistry mediated transfer process: Applications in plastic electronics
    Loo, Y. L. ; Willett, R. L. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 81 (2002), Heft 3, S. 562-564
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    Formation of epitaxial CoSi~2 films on Si and on Si/Si~8~0Ge~2~0 (100) by reactive deposition epitaxy
    Peto, G. ; Molnar, G. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 81 (2002), Heft 1, S. 37-39
    Online serialPeriodical
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