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    Light-controlled flexible tunable grating-based absorption spectroscopy for gas detection.
    Wang, Fei ; Jia, Shuhai ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 115 (2019-11-25), Heft 22, S. N.PAG- (5S.)
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    Photo-conductive detection of continuous THz waves via manipulated ultrafast process in nanostructures.
    Moon, Kiwon ; Lee, Eui Su ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018-01-20), Heft 3, S. 31102-1- (5S.)
    Online academicJournal
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    Improved sensitivity of terahertz detection by GaAs photoconductive antennas excited at 1560 nm.
    Kataoka, T. ; Kajikawa, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010-11-15), Heft 20, S. 201110-201112
    Online academicJournal
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    Detection of terahertz waves using low-temperature-grown InGaAs with 1.56 μm pulse excitation.
    Takazato, A. ; Kamakura, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-03-05), Heft 10, S. 101119-101121
    Online academicJournal
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    Metal-insulator-semiconductor structure on low-temperature grown GaAs.
    Chen, A. ; Young, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-12-04), Heft 23, S. 233514-233516
    Online academicJournal
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    Schottky barrier heights of metal contacts to n-type gallium nitride with low-temperature-grown cap layer.
    Lee, M. L. ; Sheu, J. K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 88 (2006-01-16), Heft 3, S. 32103-32105
    Online academicJournal
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    Effect of low-temperature-grown GaN cap layer on reduced leakage current of GaN Schottky diodes.
    Sheu, J. K. ; Lee, M. L. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 86 (2005-01-31), Heft 5, S. 52103-52105
    Online academicJournal
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    Fermi level unpinning in ex situ Schottky contacts on n-GaAs capped with low-temperature-grown GaAs.
    Lodha, Saurabh ; Janes, David B. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 80 (2002-06-10), Heft 23, S. 4452-4454
    Online academicJournal
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    Ultrahigh power-bandwidth-product performance of low-temperature-grown-GaAs based metal-semiconductor-metal traveling-wave photodetectors.
    Gan, Kian-Giap ; Shi, Jin-Wei ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 80 (2002-05-27), Heft 21, S. 4054-4056
    Online academicJournal
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    Defect-assisted tunneling current: a revised interpretation of scanning tunneling spectroscopy measurements.
    Grandidier, B. ; de la Broise, X. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 76 (2000-05-22), Heft 21, S. 3142-3144
    Online academicJournal
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    Ohmic nanocontacts to GaAs using undoped and p-doped layers of low-temperature-grown GaAs.
    Lee, Takhee ; Chen, Nien-Po ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 76 (2000-01-10), Heft 2, S. 212-214
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    Ultrafast carrier trapping in Be-doped low-temperature-grown GaAs.
    Krotkus, A. ; Bertulis, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 75 (1999-11-22), Heft 21, S. 3336-3338
    Online academicJournal
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    An ohmic nanocontact to GaAs.
    Lee, Takhee ; Liu, Jia ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 74 (1999-05-10), Heft 19, S. 2869-2871
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    Scanning tunneling microscopy and spectroscopy of arsenic antisites in low temperature grown InGaAs.
    Grandidier, B. ; Chen, Huajie ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 74 (1999-03-08), Heft 10, S. 1439-1441
    Online academicJournal
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    Optical constants of (Al0.98Ga0.02)xOy native oxides.
    Knopp, K. J. ; Mirin, R. P. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 73 (1998-12-14), Heft 24, S. 3512-3514
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    Permittivity of GaAs epilayers containing arsenic precipitates.
    Vasudevan, A. ; Carlin, S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 73 (1998-08-03), Heft 5, S. 671-673
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    Inhibited oxidation in low-temperature grown GaAs surface layers observed by photoelectron spectroscopy.
    Ng, T. B. ; Janes, D. B. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 69 (1996-12-02), Heft 23, S. 3551-3553
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    The compensation and depletion behavior of iron doped GaAs grown by molecular beam epitaxy.
    McInturff, D. T. ; Harmon, E. S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 69 (1996-09-23), Heft 13, S. 1885-1887
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    An optical correlator using a low-temperature-grown GaAs photoconductor.
    Verghese, S. ; Zamdmer, N. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 69 (1996-08-05), Heft 6, S. 842-844
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    The role of excess arsenic in interface mixing in low-temperature-grown AlAs/GaAs superlattices.
    Lahiri, I. ; Nolte, D.D.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 67 (1995-08-28), Heft 9, S. 1244-1246
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