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    academicJournal
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    Confinement of high Be doping levels in AllnAs/GaInAs npn heterojunction bipolar transistors by low temperature molecular-beam epitaxial growth
    METZGER, R. A ; HAFIZI, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 10, S. 1360-1362
    Online academicJournal
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    Substantial improvement by substrate misorientation in dc performance of Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As double-heterojunction NpN bipolar transistors grown by molecular beam epitaxy
    CHANG, N ; BERGER, P. R ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 2, S. 186-188
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Thermodynamic explanation to the enhanced diffusion of base dopant in AlGaAs-GaAs npn bipolar transistors
    DEPPE, D. G
    In: Applied physics letters, Jg. 56 (1990), Heft 4, S. 370-372
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Characterization of InP electron-initiated impact ionization in low electric fields using abrupt junction NpN InP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors
    Lam, S. ; Bolognesi, C. R. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 83 (2003), Heft 26, S. 5548-5550
    Online serialPeriodical
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    Observation of enhanced transport in carbon-doped InGaAsN after in situ anneal and its impact on performance of NpN InGaP/InGaAsN heterojunction bipolar transistors
    Monier, C. ; Baca, A. G. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 81 (2002), Heft 11, S. 2103-2105
    Online serialPeriodical
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    Wie komme ich dran?
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    Effect of Mg ionization efficiency on performance of Npn AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistors
    Monier, C. ; Pearton, S. J. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 76 (2000), Heft 21, S. 3115-3117
    Online serialPeriodical
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    Wie komme ich dran?
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    InGaP/InGaAsN/GaAs NpN double-heterojunction bipolar transistor
    Chang, P. C. ; Baca, A. G. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 76 (2000), Heft 16, S. 2262-2264
    Online serialPeriodical
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    academicJournal
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    Franz-Keldysh effect in lateral GaAs/AlGaAs based npn structures
    Baumgartner, P. ; Engel, C. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 70 (1997), Heft 21, S. 2876-2878
    Online serialPeriodical
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    academicJournal
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    Triple ion implantation technique for formation of shallow npn bipolar transistor structures in silicon.
    Tsaur, B Y. ; Woodhouse, J. D.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 44 (1984-05-15), Heft 10, S. 1005-1007
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
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    academicJournal
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    academicJournal
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    Characterization of InP electron-initiated impact ionization in low electric fields using abrupt junction NpN InP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors
    Lam, S. ; Watkins, S. P. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-12-29), S. 5548-5550
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    InGaP/InGaAsN/GaAs NpN double-heterojunction bipolar transistor
    Hou, H. Q. ; Li, N. Y. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 76 (2000-04-17), S. 2262-2264
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    serialPeriodical
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    serialPeriodical
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Observation of enhanced transport in carbon-doped InGaAsN after in situ anneal and its impact on performance of NpN InGaP/InGaAsN heterojunction bipolar transistors
    Monier, C. ; Hou, Hong Q. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 81 (2002-09-09), S. 2103-2105
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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