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    Wurtzite phonons and the mobility of a GaN/AlN 2D hole gas
    Bader, Samuel James ; Chaudhuri, Reet ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 114 (2019), Heft 25
    Online serialPeriodical
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    Ferroelectric transistors with monolayer molybdenum disulfide and ultra-thin aluminum-doped hafnium oxide
    Yap, Wui Chung ; Jiang, Hao ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 111 (2017), Heft 1
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Gamma-rays irradiation : an effective method for improving light emission stability of porous silicon
    FU, J. S ; MAO, J. C ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 13, S. 1830-1832
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Ferroelectric transistors with monolayer molybdenum disulfide and ultra-thin aluminum-doped hafnium oxide
    Jiang, Hao ; Xia, Qiangfei ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 111 (2017-07-03), S. 013103-13103
    Online unknown
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    Ferroelectric transistors with monolayer molybdenum disulfide and ultra-thin aluminum-doped hafnium oxide.
    Wui Chung Yap ; Liu, Jialun ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 111 (2017-07-03), Heft 1, S. 1-5
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Gamma‐rays irradiation: An effective method for improving light emission stability of porous silicon
    Wu, E. ; Mao, J. C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 63 (1993-09-27), S. 1830-1832
    Online unknown
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    Transistor laser optical and electrical linearity enhancement with collector current feedback
    Tan, Fei ; Han Wui Then ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 100 (2012-05-28), S. 221104-221104
    Online unknown
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    Stochastic base doping and quantum-well enhancement of recombination in an n-p-n light-emitting transistor or transistor laser
    Feng, Milton ; Wu, Chao-Hsin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 96 (2010-06-28), S. 263505-263505
    Online unknown
    Zugriff:
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    Microwave determination of electron-hole recombination dynamics from spontaneous to stimulated emission in a quantum-well microcavity laser
    Feng, Milton ; Han Wui Then ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 96 (2010-03-29), S. 131108-131108
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Microwave characterization of Purcell enhancement in a microcavity laser
    Holonyak, Nick ; Han Wui Then ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 96 (2010-03-29), S. 131107-131107
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Resonance-free frequency response of a semiconductor laser
    Han Wui Then ; James, A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 95 (2009-07-20), S. 033509-33509
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    4.3 GHz optical bandwidth light emitting transistor
    Feng, Milton ; Walter, Gabriel ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 94 (2009-06-15), S. 241101-241101
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Tilted-charge high speed (7 GHz) light emitting diode
    Wu, Chao-Hsin ; Han Wui Then ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 94 (2009-06-08), S. 231125-231125
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Scaling of light emitting transistor for multigigahertz optical bandwidth
    Han Wui Then ; Wu, Chao-Hsin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 94 (2009-04-27), S. 171101-171101
    Online unknown
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    Electrical-optical signal mixing and multiplication (2→22 GHz) with a tunnel junction transistor laser
    Han Wui Then ; Holonyak, N. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 94 (2009-03-09), S. 101114-101114
    Online unknown
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    Tunnel junction transistor laser
    Feng, Milton ; Walter, Gabriel ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 94 (2009-01-26), S. 041118-41118
    Online unknown
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    Bandwidth extension by trade-off of electrical and optical gain in a transistor laser: Three-terminal control
    Feng, Milton ; Holonyak, Nick ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 94 (2009-01-05), S. 013509-13509
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Optical bandwidth enhancement of heterojunction bipolar transistor laser operation with an auxiliary base signal
    Walter, Gabriel ; Feng, Milton ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 93 (2008-10-20), S. 163504-163504
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Collector characteristics and the differential optical gain of a quantum-well transistor laser
    Feng, Milton ; Holonyak, Nick ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-12-10), S. 243508-243508
    Online unknown
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    Optical bandwidth enhancement by operation and modulation of the first excited state of a transistor laser
    Feng, Milton ; Han Wui Then ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-10-29), S. 183505-183505
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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