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    Spatially resolved photoluminescence characterization and optically induced degradation of In1−xGaxAsyP1−yDH laser material
    Johnston, W. D. ; Epps, G. Y. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 33 (1978-12-15), Heft 12, S. 992-994
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Spatially resolved photoluminescence characterization and optically induced degradation of In1−xGaxAsyP1−yDH laser material
    Johnston, W. D. ; Pollack, M. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 33 (1978-12-15), S. 992-994
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Structural and compositional investigation of yttrium-doped HfO<subscript>2</subscript> films epitaxially grown on Si (111).
    Yang, Z. K. ; Lee, W. C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-11-12), Heft 20, S. 202909-202911
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Cubic HfO<subscript>2</subscript> doped with Y<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> epitaxial films on GaAs (001) of enhanced dielectric constant.
    Yang, Z. K. ; Lee, W. C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-04-09), Heft 15, S. 152908-152910
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Structural and compositional investigation of yttrium-doped HfO2 films epitaxially grown on Si (111)
    Yang, Z. K. ; Lee, W. C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-11-12), Heft 20, S. 202909-202909
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Cubic HfO2 doped with Y2O3 epitaxial-films on GaAs (001) of enhanced dielectric constant.
    Yang, Z. K. ; Lee, W. C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-04-09), Heft 15, S. 152908-152908
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Structural and compositional investigation of yttrium-doped HfO2 films epitaxially grown on Si (111)
    Lee, Y. J. ; Huang, M. L. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-11-12), S. 202909-202909
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Cubic HfO2 doped with Y2O3 epitaxial films on GaAs (001) of enhanced dielectric constant
    Yang, Z. K. ; Chang, P. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-04-09), S. 152908-152908
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
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