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39 Treffer

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    An experimental and theoretical approach to investigate correlation between electromagnetic properties of doped ferrites & its interfacial reactivity with dopamine
    Khan, Munezza A. ; Mujahid, Mohammad ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 506 (2020)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    An experimental and theoretical approach to investigate correlation between electromagnetic properties of doped ferrites & its interfacial reactivity with dopamine
    Khan, Munezza A. ; Mujahid, Mohammad ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 506 (2020)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    An experimental and theoretical approach to investigate correlation between electromagnetic properties of doped ferrites & its interfacial reactivity with dopamine
    Khan, Munezza A. ; Mujahid, Mohammad ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 506 (2020)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    An experimental and theoretical approach to investigate correlation between electromagnetic properties of doped ferrites & its interfacial reactivity with dopamine
    Khan, Munezza A. ; Mujahid, Mohammad ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 506 (2020)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    An experimental and theoretical approach to investigate correlation between electromagnetic properties of doped ferrites & its interfacial reactivity with dopamine
    Khan, Munezza A. ; Mujahid, Mohammad ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 506 (2020)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    An experimental and theoretical approach to investigate correlation between electromagnetic properties of doped ferrites & its interfacial reactivity with dopamine
    Khan, Munezza A. ; Mujahid, Mohammad ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 506 (2020)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Leakage current study of Si1-xCx embedded source/drain junctions : International symposium on control of semiconductor interfaces; ISCSI-V
    Simoen, E. ; Vissouvanadin, B. ; et al.
    In: APPLIED SURFACE SCIENCE, Jg. 254 (2008), Heft 19, S. 6140-6143
    Konferenz
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    Low-temperature chemical vapor deposition of highly doped n-type epitaxial Si at high growth rate : International symposium on control of semiconductor interfaces; ISCSI-V
    Nguyen, N. D. ; Loo, R. ; et al.
    In: APPLIED SURFACE SCIENCE, Jg. 254 (2008), Heft 19, S. 6072-6075
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of poly(p-phenylene vinylene)/methanofullerene blends of polymer solar cells by time-of-flight secondary ion mass spectrometry : SIMS XIV: proceedings of the fourteenth international conference on secondary ion mass spectrometry and related topics
    Bulle-Lieuwma, C. W. T. ; van Duren, J. K. J. ; et al.
    In: APPLIED SURFACE SCIENCE, Jg. 231-232 (2004), S. 274-277
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Development of a new type of SiGe thin strain relaxed buffer based on the incorporation of a carbon-containing layer : International SiGe technology and device meeting; from materials and process technology to device and circuit technology
    Delhougne, R. ; Meunier-Beillard, P. ; et al.
    In: APPLIED SURFACE SCIENCE, Jg. 224 (2004), Heft NO 1-4, S. 91-94
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication of 50 nm high performance strained-SiGe pMOSFETs with selective epitaxial growth : International SiGe technology and device meeting; from materials and process technology to device and circuit technology
    Loo, R. ; Collaert, N. ; et al.
    In: APPLIED SURFACE SCIENCE, Jg. 224 (2004), Heft NO 1-4, S. 292-296
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A new technique to fabricate ultra-shallow-junctions, combining in situ vapour HCl etching and in situ doped epitaxial SiGe re-growth : International SiGe technology and device meeting; from materials and process technology to device and circuit technology
    Loo, R. ; Caymax, M. ; et al.
    In: APPLIED SURFACE SCIENCE, Jg. 224 (2004), Heft NO 1-4, S. 63-67
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Avoiding loading effects and facet growth : International SiGe technology and device meeting; from materials and process technology to device and circuit technology
    Loo, R. ; Caymax, M.
    In: APPLIED SURFACE SCIENCE, Jg. 224 (2004), Heft NO 1-4, S. 24-30
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Fabrication of 50 nm high performance strained-SiGe pMOSFETs with selective epitaxial growth : International SiGe technology and device meeting; from materials and process technology to device and circuit technology
    Loo, R. ; Collaert, N. ; et al.
    In: APPLIED SURFACE SCIENCE, Jg. 224 (2004), Heft NO 1-4, S. 292-296
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A new technique to fabricate ultra-shallow-junctions, combining in situ vapour HCl etching and in situ doped epitaxial SiGe re-growth : International SiGe technology and device meeting; from materials and process technology to device and circuit technology
    Loo, R. ; Caymax, M. ; et al.
    In: APPLIED SURFACE SCIENCE, Jg. 224 (2004), Heft NO 1-4, S. 63-67
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Development of a new type of SiGe thin strain relaxed buffer based on the incorporation of a carbon-containing layer : International SiGe technology and device meeting; from materials and process technology to device and circuit technology
    Delhougne, R. ; Meunier-Beillard, P. ; et al.
    In: APPLIED SURFACE SCIENCE, Jg. 224 (2004), Heft NO 1-4, S. 91-94
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Avoiding loading effects and facet growth : International SiGe technology and device meeting; from materials and process technology to device and circuit technology
    Loo, R. ; Caymax, M.
    In: APPLIED SURFACE SCIENCE, Jg. 224 (2004), Heft NO 1-4, S. 24-30
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    The microstructure of polyamide 6 and polyamide 6/polyhedral oligomeric silsesquioxane nanocomposites synthesized by phase inversion procedure under electric field
    Zhou, Q. ; Cong, Y. ; et al.
    In: APPLIED SURFACE SCIENCE, Jg. 357 (2015), Heft B, S. 1454-1462
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    An (un)solvable problem in SIMS: B-interfacial profiling : Secondary ion mass spectroscopy and related topics
    Vandervorst, W. ; Janssens, T. ; et al.
    In: APPLIED SURFACE SCIENCE, Jg. 203-204 (2003), S. 371-376
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Noble-metal-free g-C3N4/Ni(dmgH)2 composite for efficient photocatalytic hydrogen evolution under visible light irradiation
    Cao, S. W. ; Yuan, Y. P. ; et al.
    In: APPLIED SURFACE SCIENCE, Jg. 319 (2014), S. 344-349
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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