Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
45 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Sprache

45 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Evolution of SiGe nanoclusters and micro defects in the Si 1− xGe x layer fabricated by two-step ion implantation and subsequent thermal annealing
    Xu, Wenting ; Tu, Hailing ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 257 (2011), Heft 22, S. 9260-9263
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Ripple morphologies on ion irradiated Si 1− xGe x
    Sarkar, S. ; Van Daele, B. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 255 (2008), Heft 4, S. 1368-1372
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Wet cleaning and surface characterization of Si 1− xGe x virtual substrates after a CMP step
    Abbadie, A. ; Hartmann, J.M. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 254 (2008), Heft 21, S. 6793-6798
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Electrical characteristics of hole resonant tunneling diodes with high Ge fraction ( x > 0.4) Si/strained Si 1− xGe x/Si(1 0 0) heterostructure
    Seo, Takahiro ; Sakuraba, Masao ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 254 (2008), Heft 19, S. 6265-6267
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    New fabrication of a strained Si/Si 1− yGe y dual channel on a relaxed Si 1− xGe x virtual substrate using a Ge-rich layer formed by oxidation
    Kim, Sang-Hoon ; Bae, Hyun-Cheol ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 254 (2008), Heft 19, S. 6025-6029
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Preparation of five-layered Si/Si xGe 1− x nano-films by RF helicon magnetron sputtering
    Tanemura, S. ; Miao, L. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 254 (2007), Heft 1, S. 308-311
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Structural and surface properties of Si 1− xGe x thin films obtained by reduced pressure CVD
    Teixeira, R.C. ; Doi, I. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 254 (2007), Heft 1, S. 207-212
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Positive secondary Ion emission from Si 1− xGe x bombarded by O 2+
    Mikami, A. ; Okazawa, T. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 253 (2006), Heft 3, S. 1620-1625
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Elemental depth profiling of a-Si 1− xGe x:H films by elastic recoil detection analysis and secondary ion mass spectrometry
    Mikami, A. ; Takagawa, T. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 252 (2006), Heft 14, S. 5124-5130
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Formation of Ge self-assembled quantum dots on a Si xGe 1− x buffer layer
    Kim, Hyungjun ; Shin, Chansun ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 252 (2005), Heft 5, S. 1476-1480
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Influence of Si 1− xGe x interlayer on the initial growth of SiGeC on Si(1 0 0)
    Ariyoshi, S. ; Takeuchi, S. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 224 (2004), Heft 1, S. 117-121
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Reactive ion etching of Si 1− xGe x alloy with hydrogen bromide
    Wang, C.S. ; Shu, D.Y. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 224 (2004), Heft 1, S. 222-226
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Fabrication of 0.12 μm pMOSFETs on high Ge fraction Si/Si 1− xGe x/Si(1 0 0) heterostructure with ultrashallow source/drain formed using B-doped SiGe CVD
    Lee, Doohwan ; Takehiro, Shinobu ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 224 (2004), Heft 1, S. 254-259
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Interfacial composition and electrical properties of PtSi/Si 1− xGe x/Si diodes by molecular beam epitaxy (MBE) and pulsed laser deposition (PLD)
    Li, Mei-cheng ; Zhao, Lian-cheng ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 219 (2003), Heft 3, S. 249-255
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Short-period Si/Si 1− xGe x multiple quantum wells: real-time spectro-ellipsometric characterization during growth by synchrotron-radiation-excited chemical-beam epitaxy
    Akazawa, Housei
    In: Applied Surface Science, Jg. 216 (2003), Heft 1, S. 554-559
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Charge compensation using optical conductivity enhancement and simple analytical protocols for SIMS of resistive Si 1− xGe x alloy layers
    Dowsett, M.G. ; Morris, R. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 203 (2003), S. 500-503
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Transient processes and structural transformations in Si xGe 1− x layers during oxygen implantation and sputtering
    Krüger, D ; Efremov, A.A ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 203 (2003), S. 285-289
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Strain relaxation induced by He-implantation at the Si 1− xGe x/Si(100) interface investigated by positron annihilation
    Liszkay, L ; Kajcsos, Zs ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 194 (2002), Heft 1, S. 136-139
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Structural characterization of Si 1− xGe x/Si strained superlattices and relaxed virtual substrates grown by chemical vapor deposition
    Bozzo, S. ; Lazzari, J. L. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 164 (2000), Heft 1, S. 35-41
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Low-temperature solid-phase-crystallization in Si 1− xGe x/SiO 2
    Park, S.K ; Yamaguchi, S ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 159 (2000), S. 116-120
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -