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    Fabrication and device characteristics of strained-Si-on-insulator (strained-SOI) CMOS
    TAKAGI, Shin-Ichi ; MIZUNO, Tomohisa ; et al.
    In: Proceedings of the First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003), From Materials and Process Technology to Device and Circuit Technology Nagoya University Symposion, Jg. 224 (2004), Heft 1-4, S. 241-247
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Gate oxide properties investigated by TOF-SIMS profiles on CMOS devices
    ZANDERIGO, F ; BRAZZELLI, D ; et al.
    In: Secondary Ion Mass Spectrometry SIMS XIII: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry and Related Topics Nara-Ken New Public Hall, Jg. 203-04 (2003), S. 437-440
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Strain induced by Ti salicidation in sub-quarter-micron CMOS devices, as measured by TEM/CBED
    BENEDETTI, A ; CULLIS, A. G ; et al.
    In: Proceedings of the European Materials Research Society 2001-Symposium M Stress and Strain in Heteroepitaxy, Jg. 188 (2002), Heft 1-2, S. 214-218
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Ultra-thin oxides grown on silicon (1 0 0) by rapid thermal oxidation for CMOS and advanced devices
    MUR, P ; SEMERIA, M. N ; et al.
    In: ICSFS-10: Proceedings of the Tenth International Conference on Solid Films and Surfaces, Princeton, New Jersey, July 9-13, 2000, Jg. 175-76 (2001), S. 726-733
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Limitations for aggressively scaled CMOS Si devices due to bond coordination constraints and reduced band offset energies at Si-high-K dielectric interfaces
    LUCOVSKY, Gerald ; PHILLIPS, James C
    In: Proceedings of the Seventh International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, Göteborg, Sweden, June 21-25, 1999, Jg. 166 (2000), S. 497-503
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Characterisation of polysilicon gate microstructures for 0.5 μm CMOS devices using transmission electron microscopy and atomic force microscopy images
    AHMAD, Ibrahim ; OMAR, Abdullah ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 191 (2002), Heft 1-4, S. 362-367
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterisation of polysilicon gate microstructures for 0.5 mm CMOS devices using transmission electron microscopy and atomic force microscopy images
    Ahmad, I. ; Omar, A. ; et al.
    In: APPLIED SURFACE SCIENCE, Jg. 191 (2002), Heft 1-4, S. 362-367
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Numerical simulation of strained Si/SiGe devices: the hierarchical approach
    MEINERZHAGEN, B ; JUNGEMANN, C ; et al.
    In: Proceedings of the First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003), From Materials and Process Technology to Device and Circuit Technology Nagoya University Symposion, Jg. 224 (2004), Heft 1-4, S. 235-240
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication of 50 nm high performance strained-SiGe pMOSFETs with selective epitaxial growth
    LOO, Roger ; COLLAERT, Nadine ; et al.
    In: Proceedings of the First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003), From Materials and Process Technology to Device and Circuit Technology Nagoya University Symposion, Jg. 224 (2004), Heft 1-4, S. 292-296
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Selective hydrogenation of cinnamaldehyde to cinnamyl alcohol with carbon nanotubes supported Pt-Co catalysts
    YAN, LI ; ZHU, Peng-Fei ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 254 (2008), Heft 9, S. 2609-2614
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Challenges of high Ge content silicon germanium structures
    KASPER, E ; HEIM, S
    In: Proceedings of the First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003), From Materials and Process Technology to Device and Circuit Technology Nagoya University Symposion, Jg. 224 (2004), Heft 1-4, S. 3-8
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Hf1-xSixOy dielectric films deposited by UV-photo-induced chemical vapour deposition (UV-CVD)
    LIU, M ; ZHU, L. Q ; et al.
    In: E-MRS IUMRS ICEM 2006 Spring Meeting, Nice, France - May 29-June 2, Jg. 253 (2007), Heft 19, S. 7869-7873
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Low-temperature dopant activation technology using elevated Ge-S/D structure
    TAKEUCHI, Hideki ; RANADE, Pushkar ; et al.
    In: Proceedings of the First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003), From Materials and Process Technology to Device and Circuit Technology Nagoya University Symposion, Jg. 224 (2004), Heft 1-4, S. 73-76
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Front- and back-end process characterization by SIMS to achieve electrically matched devices
    BUDRI, Thanas ; KOUZMINOV, Dimitry
    In: Secondary ion mass spectrometry SIMS XIV: Proceedings of the Fourteenth International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry and Related Topics, San Diego, California, USA, September 14-19, 2003, Jg. 231-32 (2004), S. 772-775
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Effects of contamination on selective epitaxial growth
    MACDONALD, Brian J ; PATON, Eric ; et al.
    In: Secondary ion mass spectrometry SIMS XIV: Proceedings of the Fourteenth International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry and Related Topics, San Diego, California, USA, September 14-19, 2003, Jg. 231-32 (2004), S. 776-780
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Avoiding loading effects and facet growth key parameters for a successful implementation of selective epitaxial SiGe deposition for HBT-BiCMOS and high-mobility hetero-channel pMOS devices
    LOO, Roger ; CAYMAX, Matty
    In: Proceedings of the First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003), From Materials and Process Technology to Device and Circuit Technology Nagoya University Symposion, Jg. 224 (2004), Heft 1-4, S. 24-30
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A DC-5 GHz nMOSFET SPDT T/R switch in 0.25-μm SiGe BiCMOS technology
    CRIPPA, Paolo ; ORCIONI, Simone ; et al.
    In: Proceedings of the First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003), From Materials and Process Technology to Device and Circuit Technology Nagoya University Symposion, Jg. 224 (2004), Heft 1-4, S. 434-438
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Challenges for the characterization and integration of high-κ dielectrics
    WALLACE, Robert M
    In: Secondary ion mass spectrometry SIMS XIV: Proceedings of the Fourteenth International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry and Related Topics, San Diego, California, USA, September 14-19, 2003, Jg. 231-32 (2004), S. 543-551
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Thermal effects on 1H and 2H distributions determined by SIMS in atomic layer deposition of HfO2 and Al2O3 using heavy water
    HOLLIGER, P ; HOBBS, C ; et al.
    In: Proceedings of the Fifteenth International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS XV, The University of Manchester, UK, September 12-16, 2005, Jg. 252 (2006), Heft 19, S. 7194-7197
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Depth profiling of emerging materials for semiconductor devices
    RONSHEIM, P. A
    In: Proceedings of the Fifteenth International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS XV, The University of Manchester, UK, September 12-16, 2005, Jg. 252 (2006), Heft 19, S. 7201-7204
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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