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    Ultra-thin oxides grown on silicon (1 0 0) by rapid thermal oxidation for CMOS and advanced devices
    MUR, P ; SEMERIA, M. N ; et al.
    In: ICSFS-10: Proceedings of the Tenth International Conference on Solid Films and Surfaces, Princeton, New Jersey, July 9-13, 2000, Jg. 175-76 (2001), S. 726-733
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Filamentary and interface switching of CMOS-compatible Ta2O5 memristor for non-volatile memory and synaptic devices
    Kim, Sungjun ; Abbas, Yawar ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 529 (2020-11-01), S. 147167-147167
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Surface passivation of III–V semiconductors for future CMOS devices—Past research, present status and key issues for future
    Hasegawa, Hiroyuki ; Akazawa, Masamichi ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 256 (2010-07-01), S. 5698-5707
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    45nm CMOS technology with low temperature selective epitaxy of SiGe
    Shimamune, Y. ; Tamura, Naoyoshi
    In: Applied Surface Science, Jg. 254 (2008-07-01), S. 6067-6071
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Fabrication and device characteristics of strained-Si-on-insulator (strained-SOI) CMOS
    Koga, Junji ; Mizuno, Tomohisa ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 224 (2004-03-01), S. 241-247
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Strain induced by Ti salicidation in sub-quarter-micron CMOS devices, as measured by TEM/CBED
    Mastracchio, G. F. ; Balboni, Roberto ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 188 (2002-03-01), S. 214-218
    Online unknown
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    A monolithically integrated CMOS labchip using sensor devices
    Schäfer, Heiko ; Schöler, Lars ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 255 (2008-11-01), S. 646-648
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Special Issue: The route to post-Si CMOS devices: From high mobility channels to graphene-like 2D nanosheets
    Dimoulas, Athanasios ; Guy Le Lay ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 291 (2014-02-01), S. 1-2
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Interface and plasma damage analysis of PEALD TaCN deposited on HfO2 for advanced CMOS studied by angle resolved XPS and C–V
    Gassilloud, R. ; Piallat, Fabien ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 303 (2014-06-01), S. 388-392
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Very low drift and high sensitivity of nanocrystal-TiO2 sensing membrane on pH-ISFET fabricated by CMOS compatible process
    Nukeaw, Jiti ; Rayanasukha, Yossawat ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 267 (2013-02-01), S. 206-211
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Characterisation of polysilicon gate microstructures for 0.5 μm CMOS devices using transmission electron microscopy and atomic force microscopy images
    Ahmad, Ibrahim ; Mikdad, Anuar ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 191 (2002-05-01), S. 362-367
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Integration of a TiN barrier layer formed by rapid thermal annealing in a 1 μm CMOS process
    Beyer, C. ; Palorec, J. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 91 (1995-10-01), S. 308-313
    Online unknown
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    Refractory metal silicides with applications to sub-micron CMOS processes
    Barlow, K.J. ; Stogdale, N.F.
    In: Applied Surface Science, Jg. 38 (1989-09-01), S. 467-475
    Online unknown
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    Gate materials consideration for submicron CMOS
    Ting, C.Y. ; Davari, B.
    In: Applied Surface Science, Jg. 38 (1989-09-01), S. 416-428
    Online unknown
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    Self-aligned CoSi2 and TiW(N) local interconnect in a submicron CMOS process
    J.M.F.G. van Laarhoven ; Wolters, Robertus A. M. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 38 (1989-09-01), S. 458-466
    Online unknown
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    Lateral diffusion of dopants in a 1 μm N+/P+ polycide gate CMOS process
    Delpech, P. ; Stuck, R. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 38 (1989-09-01), S. 476-484
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Influence of DUV excimer laser radiation (λ = 193 nm) on CMOS devices
    Roth, W. ; Beneking, H. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 36 (1989), S. 421-431
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    New fabrication of a strained Si/Si1−yGey dual channel on a relaxed Si1−xGex virtual substrate using a Ge-rich layer formed by oxidation
    Bae, Hyun-Cheol ; Lee, Sang-Heung ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 254 (2008-07-01), S. 6025-6029
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Challenges for the characterization and integration of high-κ dielectrics
    Wallace, Robert M.
    In: Applied Surface Science, 2004-06-01, S. 543-551
    Online unknown
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    Numerical simulation of strained Si/SiGe devices: the hierarchical approach
    Jungemann, Christoph ; Meinerzhagen, Bernd ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 224 (2004-03-01), S. 235-240
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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